氧化铝陶瓷的制备及其在微波等离子体烧结中的应用.docxVIP

氧化铝陶瓷的制备及其在微波等离子体烧结中的应用 1 陶瓷的化学性能 随着科学技术的发展，尤其是能源和空间技术的发展，材料的性能要求越来越高。氧化铝陶瓷由于强度高、耐高温、绝缘性好、耐腐蚀,并且具有良好的机电性能,广泛应用于电子、机械、化工工业。如利用其机械强度较高,绝缘电阻较大的性能,可以用作真空器件、电路基板等;利用其耐高温性,可以用作坩埚、钠光灯管等;利用其稳定的化学性能,可以用作生物陶瓷、催化载体等。 要显著降低高性能陶瓷的能耗,明显降低其生产成本,推动陶瓷产品的产业化,实现陶瓷的低温快速烧结是关键。研制烧结温度低的氧化铝陶瓷,可以从制备工艺入手,在原料选择、粉体处理、成型和烧结方法上进行改善,以降低烧结温度和缩短烧结时间。 2 影响低温燃烧的因素 2.1 al2o3生坯烧结 烧结是基于在表面张力作用下的物质迁移而实现。高温氧化物较难烧结,重要原因之一,就在于它们有较大的晶格能和较稳定的结构状态,质点迁移需要较高的活化能,即活性较低。采用晶粒小、比表面积大、表面活性高的单分散超细Al2O3粉料,初期烧结基本是在一次颗粒间进行,由于颗粒间扩散距离短,因而仅需较低的烧结温度和烧结活化能。由C.Herring换算法则可知(具体颗粒尺寸与烧结温度的对应数值见表1),如果颗粒的尺寸能降低到20nm以下,则烧结温度能降低到1000℃以下,且Al2O3陶瓷的晶粒尺寸可减到100nm以下。 J.H Peng等以粒径为4～8nm和50～100nm的Al2O3为原料,用Ar-O2混合气体作为等离子气体进行微波等离子体烧结。晶粒尺寸为4～8nm的Al2O3生坯烧结15min 能完全致密。而晶粒尺寸为50～100nm的Al2O3生坯在相同的条件下烧结,相对密度只能达到理论密度的89%。Akira Nakajima等以颗粒尺寸为 0.2μm和1.8μm的高纯Al2O3为原料,以MgO和SiO2为添加剂进行常压烧结,烧结温度为1460℃。实验发现,颗粒尺寸为0.2μm的Al2O3坯体在100min后几乎完全致密(相对密度大于98%),而颗粒尺寸为1.8μm坯体却远没致密(相对密度小于85%),相对密度随时间的变化关系见图l。这同时也说明了Al2O3颗粒越细,就越容易烧结,烧结温度也就越低。现在我国超细Al2O3粉料料源充足,价格便宜,有利于开展此项研制工作,并能进行低成本工业生产。 2.2 部分原子出现位错,导致晶体结构上的破坏,容易产生凝 冲击波处理氧化铝超细粉,粉料在受冲击波处理时,使原来比较完整的晶体结构受到不同程度的破坏,因而使晶格中出现位错,部分原子不同程度的偏离正常晶格的位置,形成势能较高的介稳状态。由于这些缺陷能的存在,使缺陷处质点活性加大,更容易超脱原来位置的束缚,而进入另一运动状态。这些活化粉料将大大有利于传质过程的进行,从而降低烧结活化能和烧结温度。 2.3 气孔及形状的变化 陶瓷生坯在加热过程中不断收缩,并在低于熔点温度下变成致密、坚硬的具有某种显微结构的多相烧结体。烧结时,主要发生晶粒尺寸及外形的变化和气孔及形状的变化。生坯气孔是连通的,颗粒之间是点接触。在烧结温度下,以表面能的减少为驱动力,物质通过不同的扩散途径向颗粒点接触的颈部和气孔部位填充,使颈部逐渐扩大,减小气孔体积,细小颗粒之间开始形成晶界,并不断扩大使坯体致密化。连通的气孔缩小为孤立的气孔,分布在几个晶粒交界处。晶界上的物质继续向气孔扩散,使之进一步致密化,直到气孔基本排除。要降低氧化铝陶瓷的烧结温度,通常可以采取以下烧结方法。 2.3.1 u2004热压成型 在烧结氧化铝陶瓷时加入少量添加剂,可形成低熔点的玻璃相,粘接分散的晶相,当添加剂与烧结物形成固溶体时,将使晶格畸变而得到活化,故可降低烧结温度。生成的玻璃相沿各颗粒的接触界面分布,原子通过液体扩散传输,扩散系数大,使烧结速度加快。Akira Nakajima和 Gray L.Messin以 0.2μm的Al2O3(纯度99.99%)为主原料,选择MgO-Al2O3-SiO2系助熔剂,在1460℃下烧结100min,得到烧结体的相对密度是理论密度的97%,而0.2μm的Al2O3在同样的时间内要达到同样的致密度需 1500℃以上的高温,图2是氧化铝陶瓷相对密度随时间的变化关系。薄占满等选用高纯超细Al2O3为原料,选择CaO-MgO-SiO2系为熔剂,在1400～1430℃的低温下烧结,得到晶粒大小约为0.6μm的细晶氧化铝瓷。Zülal等用B2O3作为添加剂,在1450℃下烧结α-Al2O3,得到烧结体的密度为理论密度的94%。Seongtae Kwon和Gary L.Messing用γ-AlOOH籽晶和70%超细α-Al2O3混合物干压成型,在1300℃烧结,得到的烧结体密度大于理论密度的95%。液相