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3-d多组件件mcm的发展 1 新的3-d封装技术 随着移动电话系统的复杂性，vlasi电路的低能耗、轻量和小密封生产技术变得越来越重要。同样,许多航空和军事应用也正在朝该方向发展。为满足这些要求,现在产生了许多新的3-D封装技术,或是将裸芯片,或是将MCM沿z轴叠层在一起,这样,在小型化方面就取得了极大的改进。同时,由于z平面技术总互连长度更短,会产生寄生电容,因而系统功耗可降低约30%。 23 -d包装技术的优势 2.1 体积和重量测试 3-D设计替代单芯片封装缩小了器件尺寸、减轻了重量。尺寸缩小及重量减轻的那部分取决于垂直互连的密度。和传统的封装相比,使用3-D技术可缩短小尺寸、减轻重量达40～50倍。表1从体积和重量上比较了TI公司3-D裸芯片封装和分立、2-D封装(通常所说的MCM)。由表1可见,相对MCM技术、3-D封装技术可缩小体积5～6倍,减轻重量2～13倍;而相对分立式封装技术,3-D封装技术可缩小体积10～20倍,减轻重量3～19倍。这些都是因为解决了传统技术所带来的多余重量和尺寸问题。就Aladdin并行处理器来说,它比Cray X-MP处理器的尺寸和体积分别要缩小660和2700倍。 2.2 -d和3-d封装技术的硅片效率 封装技术的一个主要问题是PCB芯片焊区,如图1所示,MCM由于使用了裸芯片,焊盘减小了20～90%,而3-D封装则更有效地使用了硅片的有效区域,这被称之为“硅片效率”,硅片效率是指叠层中总的基板面积与焊区面积之比,因此和其他2-D封装技术相比,3-D技术的硅片效率超过100%。 2.3 行时间t与约束长度 延迟指的是信号在系统功能电路之间传输所需要的时间。在高速系统中,总延迟时间主要受飞行时间限制,飞行时间是指信号沿互连传输的时间,飞行时间t与互连长度成正比,因此缩短延迟就需要用3-D封装缩短互连长度。缩短互连长度,降低了互连伴随的寄生电容和电感,因而缩短了信号传输延迟。例如,使用MCM技术的信号延迟缩短了约300%。而使用3-D技术由于电子元件相互间非常接近,延迟则更短,如图2所示。 2.4 噪声因素的影响 噪声通常被定义为夹杂在有用信号间不必要的干扰,影响着信号的信息。在高性能系统中,噪声处理主要是一个设计问题,噪声通过降低边缘比率、延长延迟及降低噪声幅度限制着系统性能,会导致错误的逻辑转换。噪声幅度和频率主要受封装和互连限制。在数字系统中存在4个主要噪声源:1)反射噪声;2)串扰噪声;3)同步转换噪声;4)电磁干扰(EMI)。所有这些噪声源的幅度取决于信号通过互连的上升时间,上升时间越快,噪声越大。3-D技术在降低噪声中起着缩短互连长度的作用,因而也降低了互连伴随的寄生性。另一方面,如果使用3-D技术没考虑噪声因素,那么噪声在系统中会成为一个问题。比方说,如果互连沿导线的阻抗不均匀或其阻抗不能匹配源阻抗和目标阻抗,那么就潜在一个反射噪声,进一步说,如果互连间距不够大,也会潜在串扰噪声。由于缩短互连、降低互连伴随的寄生性,同步噪声也被减小,因而,对于同等数目的互连,产生的同步噪声更小。 2.5 寄生电容和连续电容 电子系统中散失的能量E与互连寄生电容C的关系为E=CV2,因而功耗p=fCV2,其中,V为通过C的摆动电压,f为每秒的转变数目。由于寄生电容和互连长度成比例,所以,由于寄生性的降低,总功耗也降了下来。例如,10%的系统功耗散失在PWB上的互连中,如果采用MCM技术制造产品,功耗将降低5倍,因而产品比PWB产品要少消耗8%的功耗,而如果采用3-D技术制造产品,由于缩短了互连长度,降低了互连伴随的寄生性,功耗则会更低。 2.6 器件噪声和电极性能 3-D技术节约的功率可以使3-D器件以每秒更快的转换速率(频率)运转而不增加功耗,此外,寄生性(电容和电感)的降低,3-D器件尺寸和噪声的减小便于每秒的转换率更高,这使总的系统性能得以提高。例如,采用3-D MCM集成技术的Aladdin并行处理器比Cray X-MP处理器每个单位体积可获得35000百万条指令数/秒(MIPS)和10800浮点运算次数/秒(FLOPS)的改善。 2.7 叠层串联时延及并长技术 假定典型芯片厚度为0.6mm,如图3所示,在3-D封装图形中,距叠层中心元件等互连长度的元件有116个,而采用2-D封装技术,距中心元件等距离的元件只有8个,因而,叠层互连长度的缩短降低了芯片间的传输延迟。此外,垂直互连可最大限度地使用有效互连,而传统的封装技术则受诸如通孔或预先设计好的互连的限制。由于可接入性和垂直互连的密度(平均导线间距的信号层数)成比例,所以3-D封装技术的可接入性依赖于垂直互连的类型。外围互连受叠层元件外围长度的限制,与之相比,内部互连要更适用、更便利。 2.8 低伏压延迟、宽接头、电路 在许多计算