数字集成电路：反相器.pptVIP

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2024-03-23 发布于湖南
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数字集成电路：反相器.ppt

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缓冲器设计111186464646442.881622.6N f tp1 64 652 8 183 4 154 2.8 15.3功耗CMOS的功耗产生来源?动态功耗Energy/transition=CL*Vdd2Power=Energy/transition*f=CL*Vdd2*f减小CL,Vdd,和f来降低能量.VinVoutCLVdd与晶体管尺寸无关为减小摆幅而进行的电路修正绝热装置222AdiabaticCharging节点转换和功耗最小能量的晶体管尺寸Goal:MinimizeEnergyofwholecircuitDesignparameters:fandVDDtp?tprefofcircuitwithf=1andVDD=Vref晶体管尺寸(2)PerformanceConstraint(g=1)EnergyforsingleTransition晶体管尺寸(3)短路电流怎么保持较低短路电流？Shortcircuitcurrentgoestozeroiftfalltrise,butcan’tdothisforcascadelogic,so...最小化短路电流功耗Vdd=1.5Vdd=2.5Vdd=3.3泄漏电流反偏漏二极管JS=10-100pA/mm2at25degCfor0.25mmCMOSJSdoublesforevery9degC!SubthresholdLeakageComponent静态功耗Wastedenergy…Shouldbeavoidedinalmostallcases,butcouldhelpreducingenergyinothers(e.g.senseamps)减小功耗的方法首要选择:减小电压!RecentyearshaveseenanaccelerationinsupplyvoltagereductionDesignatverylowvoltagesstillopenquestion(0.6…0.9Vby2010!)减小开关电流减小物理电容DeviceSizing:forF=20fopt(energy)=3.53,fopt(performance)=4.47工艺尺寸

缩小的影响EE141*数字集成电路

-电路、系统与设计反相器计算VIHandVIL反相器增益VDD产生的增益VTC模拟器件参数变化的影响00.511.522.500.511.522.5Vin(V)Vout(V)GoodPMOSBadNMOSGoodNMOSBadPMOSNominal传播延时CMOS反相器传播延时

1阶分析CMOS反相器传播延时

2阶分析CMOS反相器多晶硅InOut金属1VDDGNDPMOSNMOS1.2mm=2l瞬态响应tp=0.69CL(Reqn+Reqp)/2?tpLHtpHL功能设计保持小电容增加晶体管尺寸注意self-loading!增加VDD(????)VDD对延时的影响注意：这一公式只在器件速度饱和时成立，因此在低电源电压会有偏差。器件尺寸NMOS/PMOS尺寸系数b=Wp/Wn上升时间对延时的影响反相器尺寸反相器链CLIfCLisgiven:Howmanystagesareneededtominimizethedelay?Howtosizetheinverters?Mayneedsomeadditionalconstraints.InOut反响器延时Minimumlengthdevices,L=0.25mmAssumethatforWP=2WN=2Wsamepull-upandpull-downcurrentsapprox.equalresistancesRN=RPapprox.equalrisetpLHandfalltpHLdelaysAn