第一章半导体中的电子状态之半导体中的电子状态和能带-.ppt

****************SemiconductorPhysics**③波矢K的取值-应用周期性边界条件—波矢k只能取分立数值对长为L的一维晶格,k=m/L=m/Na--即在一个BZ内,K可以取N个值.或说,每一个能带中有N个能级,可以容纳2N个电子(能带中的能级可看作准连续的)?准动量-hkSemiconductorPhysics**ΔΛΣ图1-11SemiconductorPhysics**对于边长为L的立方晶体kx=nx/L(nx=0,±1,±2,…)ky=ny/L(ny=0,±1,±2,…)kz=nz/L(nz=0,±1,±2,…)由上式可以证明每个布里渊区中有N个k状态（N为晶体的固体物理学原胞数）。由于k是分立的，所以布里渊区中的能级是准连续的。每个能带最多可以容纳2N个电子。SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**导体、半导体、绝缘体SemiconductorPhysics**导体、半导体、绝缘体的能带SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**三者的主要区别：禁带宽度和导带填充程度金属导带半满半导体禁带宽度在1eV左右绝缘体禁带宽且导带空SemiconductorPhysics**★半导体金属:有一个部分充满的导带绝缘体:导带和价带之间存在较大的能隙—导带全空,价带全满.(满带电子对导电没有贡献)半导体:导带和价带之间存在适当能隙的材料,Eg∽1eV.导带几乎全空,价带几乎全满.?特点-两种载流子(电子,空穴)导电;光敏性,热敏性;掺杂效应……SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**?本征半导体-载流子主要由本征激发产生本征激发-价带电子跃迁到导带,产生电子空穴对.本征半导体中,电子数=空穴数.?杂质半导体-载流子主要来源于掺杂效应掺杂效应-极微量的某些杂质,可以使半导体的导电性质发生很大的变化.n型半导体和p型半导体.?能级与能带:室温下,Si：Eg=1.12eV， Ge：Eg=0.67eV， GaAs：Eg=1.42eV。 SemiconductorPhysics**半导体载流子：电子和空穴********************SemiconductorPhysics中国科学技术大学物理系SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysics**半导体中的电子状态和能带电子在周期性势场中运动的基本特点和自由电子（处于零势场中）的运动十分相似SemiconductorPhysics**★自由电子粒子性描述：SemiconductorPhysics**★自由电子波动性（德布罗意）描述SemiconductorPhysics**★自由电子波函数-平面波考虑一维情况：它满足薛定谔方程其中E为电子能量SemiconductorPhysics**自由电子的E和K的关系根据上述方程可以看出：对于自由电子能量和运动状态之间呈抛物线变化关系；即自由电子的能量可以是0至无限大间的任何值。SemiconductorPhysics**★近自由电子单电子近似—能带理论中的一个基本近似a.电子的运动可看作是相互独立的b.电子在一个具有晶格周期性的等效势场中运动其波动方程（定态方程）为：SemiconductorPhysics**近自由电子:单电子近似+弱周期势场★近自由电子近似的主要结果①波函数布洛赫定理-布洛赫波Bloch波(调幅平面波)SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**?周期函数—晶格周期势场的影响电子出现的几率—与晶格同周期的函数?平面波因子—电子的共有化运动波矢k—是描述电子共有化运动状态的量子数(给出了原胞之间电子波函数的位