NAND Flash器件电热效应研究及其可靠性分析.pdfVIP

NANDFLASH器件电热效应研究及其可靠性分

析

摘要

随着5G、人工智能及物联网等新兴技术的迅速发展和广泛应用，海量数据的产生

推动了信息存储行业的蓬勃发展，巨大的市场需求对存储器的性能提出了更高要求。

在众多存储器中，3DNAND闪存存储器凭借其高集成密度、低成本等综合优势成为非

易失存储器领域的主流产品。然而随着堆叠层数的增加，芯片热效应问题加剧，与之

相关的可靠性退化问题也愈发严重，如阈值电压的偏移等。热效应影响可靠性的物理

机理复杂，使用实验手段难以分析其内部机理，而仿真模拟手段可以从微观上对其机

理进行深入探究。本文使用有限元方法系统研究了NANDFlash的电热效应，以及热效

应相关因素对器件可靠性的影响，并深入探究造成可靠性退化的物理机理，为提高闪

存可靠性提供了参考依据。

首先，建立了典型尺寸的NANDFlash存储单元电学模型，在稳态下计算了器件编

程态和擦除态的电流-电压响应，结果与典型Flash器件相符，证明了模型的准确性。在

此基础上，使用瞬态研究，模拟器件在电压脉冲下电荷俘获层存储/释放电荷的工作情

况，重点研究了隧穿电流以及电荷俘获层电荷量随时间的变化情况，成功实现了器件

读取、写入和擦除功能。针对器件的电热效应，使用多物理场耦合的有限元方法，实

现了电热耦合模型的稳态求解，精确的模拟了器件温度分布及其热点位置，为后续降

低热效应的影响做出铺垫。

其次，基于存储单元搭建了多层NAND存储串的电热耦合模型，对存储串电荷转

移的微观过程等方面进行精确模拟，明确了器件热效应的来源，并结合焦耳热及产生-

复合发热对其进行了合理的解释。针对当前3DNAND堆叠层数不断增加导致热效应加

剧问题，模拟了堆叠层数对器件热特性的影响，并得出热特性随堆叠层数变化的规律。

针对存储器随机读写情况，设计了NANDstring不同单元工作的模拟仿真，得出了不同

单元工作时器件的温度和应力分布情况，对优化随机读取算法有着重要指导价值。针

对当前各种厂商使用的不同NANDFlash架构，分别研究了不同架构对NANDFlash热

特性的影响，对闪存结构设计提供了参考。

最后，针对热效应造成NANDFlash可靠性退化机理难以用实验方法探究，通过仿

真建模方法对热效应影响可靠性的物理机理进行了深入分析。针对存储器不同使用场

景，研究了环境温度对器件可靠性的影响，得出了器件电学性能随环境温度变化的规

律；在此基础上继续深入研究了多晶硅沟道陷阱随温度变化情况，结合之前结果对热

效应造成器件可靠性退化的机理进行了合理解释。针对隧穿层退化现象，研究了器件

电学性能随隧穿层陷阱密度的变化，分析了隧穿层退化对可靠性造成的影响。本研究

结果对改善NAND闪存电热效应，减小热效应的影响有着重要的参考价值与指导意义。

【关键词】NANDFlash；可靠性；热效应；多晶硅沟道；阈值电压

Electro-ThermalEffectInvestigationon

NANDFLASHdeviceandItsReliability

Analysis

Abstract

Theinformationstorageindustryhasseentremendousgrowth,drivenbytherapid

developmentandwidespreadapplicationofemergingtechnologieslike5G,artificial

intelligence,andtheInternetofThings,resultinginmassivedataproductionandasubstantial

increaseinmarketdemandforhighermemoryperformance.Intherealmofnon-volatile

memory,3DNANDflashm