CN117098445A 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法 （北京东方计量测试研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117098445A(43)申请公布日2023.11.21

(21)申请号202311339985.6

(22)申请日2023.10.17

(71)申请人北京东方计量测试研究所

地址100086北京市海淀区知春路82号院

(72)发明人黄晓钉王忠伟蔡建臻曾一平

杨宝平

(74)专利代理机构北京海虹嘉诚知识产权代理

有限公司11129专利代理师吴小灿

(51)Int.CI.

H1ON

C30B

C30B

C30B

C30B

52/00(2023.01)

29/40(2006.01)

29/42(2006.01)

29/68(2006.01)

25/02(2006.01)

C23C

C23C

C22C

H10N

H10N

H10N

14/30(2006.01)

14/18(2006.01)5/02(2006.01)52/80(2023.01)

52/01(2023.01)

52/85(2023.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法

(57)摘要

204-205206207100一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法，既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应，又具有较宽量子电阻样品的平台宽度，平台宽度≥0.6T,磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T～8T之间，包括砷化镓异质结材料，其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlGa1-As隔离层，第六层是掺杂Si的AlGa??xAs层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlGa1-As隔离层厚度为10nm

A

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CN117098445~0.32,以使所述二维电子气层的载流子浓度既

CN117098445

CN117098445A权利要求书1/2页

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1.一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品，其特征在于，包括砷化镓异质结材料，所述砷化镓异质结材料具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlGa??As隔离层，第六层是掺杂Si的AlGa1?As层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlGa??As隔离层厚度为10nm~30nm,x=0.28～0.32,以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场，所述低磁场在7T～8T之间，也匹配于与之正相关的2号平台宽度所期望的下限值，所述2号平台宽度≥0.6T。

2.根据权利要求1所述的低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品，所述未掺杂的A1Ga?-As隔离层厚度为15nm～20nm,所述2号平台中心磁场为7.6T,2号平台对应的磁场区间从7.3T起始到7.9T结束。

3.根据权利要求1所述的低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品，所述2号平台中心磁场处复现的电阻量值为12906.4037Ω,测量不确定度相对值小于2×10?。

4.根据权利要求1所述的低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品，所述高纯净度GaAs层中的杂质浓度量级为1013/cm3,所述高纯净度GaAs层厚度为380nm～420nm,所述二维电子气层形成于所述高纯净度GaAs层与未掺杂的A1Ga?-As隔离层的接触面，所述二维电子气层厚度为9nm~11nm,所述二维电子气层的载流子浓度为(3.0～3.8)×101?/cm2,载流子迁移率为(1.0～4.0)×10?/(cm2·V·s)。

5.根据权利要求1所述的低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品，所述GaAs/AlGaAs超晶格层用于隔离所述GaAs隔离层的杂质，所述GaAs/AlGaAs超晶格层具有通过交替生长GaAs和AlGaAs材料20个周期所形成的结构，所述GaAs隔离层厚度为200nm～500nm。

6.根据权利要求1所述的低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品，所