CN116936460A 一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116936460A(43)申请公布日2023.10.24

(21)申请号202310935417.6

(22)申请日2023.07.27

(71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址200050上海市长宁区长宁路865号

(72)发明人武震宇苏泳全刘艺晨王栎皓

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.CI.

H01L21/762(2006.01)

权利要求书1页说明书17页附图5页

(54)发明名称

一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法

(57)摘要

CN116936460A本发明提供一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。本发明通过硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法制作得到的硅基绝缘体上玻璃衬底结构，采用所述第一截止层、所述第二截止层构成的双截止层结构作为所述硅基绝缘体上玻璃衬底结构的刻蚀截止层，解

CN116936460A

提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；

提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；

提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；

将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行

键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠

层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。

S2

S3

CN116936460A权利要求书1/1页

2

1.一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；

提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；

将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。

2.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：所述第一键合层包括依次层叠设置于所述第一晶圆的第一晶圆主体上表面的所述第一截止层、所述第二截止层，所述第二键合层为所述第二晶圆的第二晶圆主体的下表层。

3.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：所述第一键合层为所述第一晶圆的第一晶圆主体的上表层，所述第二键合层包括依次层叠设置于所述第二晶圆的第二晶圆主体下表面的所述第二截止层、所述第一截止层。

4.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：所述第一键合层包括设置于所述第一晶圆的第一晶圆主体上表面的所述第一截止层，所述第二键合层包括设置于所述第二晶圆的第二晶圆主体下表面的所述第二截止层。

5.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面键合之后，还包括进行退火处理的步骤。

6.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：将所述第一键合层与所述第二键合层进行键合之前，还包括对所述第一晶圆依次进行减薄、抛光的步骤。

7.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：将所述第一键合层与所述第二键合层进行键合之前，还包括对所述第二晶圆依次进行减薄、抛光的步骤。

8.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：将所述第一键合层与所述第二键合层进行键合之前，还包括对所述第一晶圆及所述第二晶圆依次进行减薄、抛光的步骤。

9.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：所述第一晶圆包括硅晶圆；所述第二晶圆包括玻璃晶圆。

10.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：所述第一截止层包括氧化硅层；所述第二截止层包括多晶硅层。

11.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法，其特征在于：将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合的方法包括阳极键合。

12.根据权利要求1所述的硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作