CN114388530A 三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114388530A

(43)申请公布日2022.04.22

(21)申请号202210061913.9

(22)申请日2022.01.19

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人阳涵徐文祥张磊周文斌霍宗亮方秦

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人孟霞

(51)Int.CI.

HO1L27/1157(2017.01)

HO1L27/11582(2017.01)

HO1L27/11565(2017.01)

权利要求书2页说明书14页附图24页

(54)发明名称

三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统

(57)摘要

CN114388530A本发明涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，该三维存储器的制作方法包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括多个堆叠区域以及在第一方向上位于相邻堆叠区域之间的栅线缝隙区；形成贯穿堆叠区域中的堆叠结构的多个沟道孔、以及贯穿栅线缝隙区中的堆叠结构的多个虚拟沟道孔；形成贯穿栅线缝隙区中的堆叠结构的栅线狭缝，以去除多个虚拟沟道孔并将相邻堆叠区域中的堆叠结构分隔开，从而在堆叠区域中刻蚀形成沟道孔的过程中，能够避免由于栅线缝隙区形成的刻蚀材料易在靠近栅线缝隙区的沟道孔中堆积，而导致靠近栅线缝

CN114388530A

—S11

—S11

在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括多个堆叠区域以及在第一方向上位于相邻堆叠区域之间的栅线缝隙区

-S12

形成贯穿堆叠区域中的堆叠结构的多个沟道孔、以及贯穿栅线缝隙区中的堆叠结构的多个虚拟沟道孔

-S13

形成贯穿栅线缝隙区中的堆叠结构的栅线狭缝，以去除多个虚拟沟道孔并将相邻堆叠区域中的堆叠结构分隔开

CN114388530A权利要求书1/2页

2

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个堆叠区域以及在第一方向上位于相邻所述堆叠区域之间的栅线缝隙区；

形成贯穿所述堆叠区域中的所述堆叠结构的多个沟道孔、以及贯穿所述栅线缝隙区中的所述堆叠结构的多个虚拟沟道孔；

形成贯穿所述栅线缝隙区中的所述堆叠结构的栅线狭缝，以去除所述多个虚拟沟道孔并将相邻所述堆叠区域中的所述堆叠结构分隔开。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述多个沟道孔在所述第一方向上呈多排排列，所述多个虚拟沟道孔包括在所述第一方向上呈至少一排排列。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，一排虚拟沟道孔和在所述第一方向上与其相邻的一排沟道孔之间的间隔距离，等于相邻两排沟道孔之间的间隔距离。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述多个沟道孔具有相同的孔径。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述虚拟沟道孔和所述沟道孔具有相同的孔径，且任意相邻两个所述沟道孔之间的间隔距离、任意相邻两个所述虚拟沟道孔之间的间隔距离以及任意相邻的一个所述沟道孔和一个所述虚拟沟道孔之间的间隔距离相等。

6.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述形成贯穿所述堆叠区域中的所述堆叠结构的多个沟道孔、以及贯穿所述栅线缝隙区中的所述堆叠结构的多个虚拟沟道孔，具体包括：

提供掩膜版，所述掩膜版包括沿所述第一方向分布的第一区域和第二区域，所述第一区域中的所述掩膜版具有多个第一开口，所述第二区域中的所述掩膜版具有多个第二开口；

根据所述多个第一开口刻蚀所述堆叠结构，以形成贯穿所述堆叠区域中的所述堆叠结构的多个沟道孔，并根据所述多个第二开口刻蚀所述堆叠结构，以形成贯穿所述栅线缝隙区中的所述堆叠结构的多个虚拟沟道孔。

7.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述形成贯穿所述栅线缝隙区中的所述堆叠结构的栅线狭缝之前，还包括：

在所述虚拟沟道孔中形成虚拟沟道结构；

在所述沟道孔中形成沟道结构。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述虚拟沟道孔中形成虚拟沟道结构，具体包括：

在所述堆叠结构上形成覆盖所述沟道孔和所述虚拟沟道孔的掩膜层；

刻蚀位于所述栅线缝隙区上的所述掩膜层，形成第三开口，所述第三