CN110335851B 一种新型的芯片封装结构及其制作方法 （深圳第三代半导体研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN110335851B公告日2021.04.30

(21)申请号201910567081.6

(22)申请日2019.06.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110335851A

(43)申请公布日2019.10.15

H01LH01LH01LHO1L

审查员

23/367(2006.01)

23/373(2006.01)21/56(2006.01)23/528(2006.01)

肖瑶

(73)专利权人深圳第三代半导体研究院

地址518051广东省深圳市南山区西丽大

学城学苑大道1088号台州楼

(72)发明人李俊叶怀宇刘旭裴明月张国旗

(74)专利代理机构北京中知法苑知识产权代理有限公司11226

代理人李明

(51)Int.CI.

HO1L23/31(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种新型的芯片封装结构及其制作方法

(57)摘要

CN110335851B本发明提供一种新型的芯片封装结构，其特征在于：包括芯片本体(41),所述芯片本体(41)底面粘接有导电胶(40),所述导电胶(40)形成在导电层(20)上，所述导电层(20)具有第一开口，所述导电层(20)的底面形成有底部金属化层(81),绝缘层(50)覆盖所述芯片本体(41)和所述导电层(20),所述绝缘层(50)具有形成在所述底部金属化层(81)上的第二开口，铜基材(11)具有形成在所述绝缘层(50)上的平台部分和形成在所述第二开口中的突出部分，所述平台部分和所述突出部分形成阶梯铜基材(11)。本发明通过使

CN110335851B

100

CN110335851B权利要求书1/2页

2

1.一种芯片封装结构，其特征在于：

包括芯片本体(41),所述芯片本体(41)底面粘接有导电胶(40),所述导电胶(40)形成在导电层(20)上，所述导电层(20)具有第一开口，所述导电层(20)的底面形成有底部金属化层(81),绝缘层(50)覆盖所述芯片本体(41)和所述导电层(20),所述绝缘层(50)具有形成在所述底部金属化层(81)上的第二开口，铜基材(11)具有形成在所述绝缘层(50)上的平台部分和形成在所述第二开口中的突出部分，所述平台部分和所述突出部分形成阶梯铜基材(11),其中所述芯片本体(41)上的所述绝缘层(50)和所述铜基材(11)的所述平台部分共同形成有通孔，顶部金属化层(80)填充所述通孔并覆盖所述铜基材(11)顶面，所述铜基材(11)和所述顶部金属化层(80)的面积小于所述绝缘层(50)以露出所述绝缘层(50)的部分顶面，在所述绝缘层(50)露出的所述部分顶面部分及所述铜基材(11)和顶部金属化层(80)的侧面和部分顶面的顶部绝缘层(100),在所述底部金属化层(81)中形成有第二开口以露出所述绝缘层(50)的部分底面，在所述第二开口中和所述底部金属化层(81)的侧面及部分顶部形成有底部绝缘层(101)。

2.一种如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，其中所述导电层(20)的材料选自于铜、铝、金、银、锡、铅及其合金或填充金属的有机物。

3.一种如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，其中所述顶部金属化层(80)、所述底部金属化层(81)的材料选自于铜、铝、金、银、其合金及有填充金属的有机物。

4.一种如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，其中所述绝缘层(50)、所述顶部绝缘层(100)、所述底部绝缘层(101)的材料选自于填充二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的有机绝缘物、油墨。

5.一种如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101、提供作为补强载体用的分离材料(10)及铜基材(11);

S102、在所述分离材料(10)上制作导电层(20);

S103、对所述铜基材(11)进行图案化，形成具有平台部分和突出部分的阶梯状铜基材

(11),对所述导电层(20)进行图案化以形成第一开口以露出部分所述分离材料(10);

S104、在制作完成好图案化的所述导电层(20)上依序粘接导电胶(40)以及芯片本体

(41);

S105、将所述铜