CN108564975A 一种内存盘及内存盘的制作方法 （济南浪潮高新科技投资发展有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108564975A

(43)申请公布日2018.09.21

(21)申请号201810394037.5

(22)申请日2018.04.27

(71)申请人济南浪潮高新科技投资发展有限公司

地址250100山东省济南市高新区孙村镇

科航路2877号研发楼一楼

(72)发明人翟西斌崔铭航李晓

(74)专利代理机构济南信达专利事务所有限公司37100

代理人李世喆

(51)Int.CI.

G11C5/06(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种内存盘及内存盘的制作方法

(57)摘要

CN108564975A本发明提供了一种内存盘，包括：印制电路板PCB、电源电路、内存缓冲芯片功能电路和至少一个内存颗粒；所述电源电路、所述内存缓冲芯片功能电路设置于所述PCB上；所述至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；所述电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒相连，所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒相连；所述电源电路，用于为所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒进行供电；所述内存缓冲芯片功能电路，用于控制所述至少一个内存颗粒，其中，所述至少一个内存颗粒组成单通道或双通道。本方案能够使内存颗

CN108564975A

CN108564975A权利要求书1/1页

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1.一种内存盘，其特征在于，包括：印制电路板PCB、电源电路、内存缓冲芯片功能电路和至少一个内存颗粒；

所述电源电路、所述内存缓冲芯片功能电路设置于所述PCB上；

所述至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；

所述电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒相连，所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒相连；

所述电源电路，用于为所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒进行供电；

所述内存缓冲芯片功能电路，用于控制所述至少一个内存颗粒，其中，所述至少一个内存颗粒组成单通道或双通道。

2.根据权利要求1所述的内存盘，其特征在于，进一步包括：针孔式高速连接器；

所述针孔式高速连接器设置于所述PCB上；

所述针孔式高速连接器分别与所述内存缓冲芯片功能电路、外部的主板相连。

3.根据权利要求1所述的内存盘，其特征在于，

所述PCB上设置有至少一个第一通道焊接位、至少一个第二通道焊接位；

当每一个所述内存颗粒均通过相应的所述第一通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成单通道；

当每一个所述内存颗粒均通过相应的所述第二通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成单通道；

当所述至少一个内存颗粒中至少一个第一内存颗粒通过相应的所述第一通道焊接位焊接在所述PCB上、至少一个第二内存颗粒通过相应的所述第二通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成双通道。

4.根据权利要求1-3中任一所述的内存盘，其特征在于，

所述内存颗粒的规格包括：DDR3,或，DDR4。

5.一种内存盘的制作方法，其特征在于，包括：

在印制电路板PCB上设置电源电路、内存缓冲芯片功能电路；

将至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；

将电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒连接；

将所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒连接。

6.根据权利要求5所述的内存盘的制作方法，其特征在于，进一步包括：

在所述PCB上设置针孔式高速连接器；

将所述针孔式高速连接器分别与所述内存缓冲芯片功能电路、外部的主板连接。

CN108564975A说明书1/4页

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一种内存盘及内存盘的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种内存盘及内存盘的制作方法。

背景技术

[0002]目前，服务器使用的内存形式主要为DIMM(DualInlineMemoryModules,双列直插式存储模块)插槽与内存条结合的方式，即内存条通过DIMM插槽固定于PCB(Printed

CircuitBoard,印制电路板)上。

[0003]但是，该结合方式使内存条易产生晃动，导致接触不良。

发明内容

[0004]本发明实施例提供