CN102983173B 具有槽型结构的应变nmosfet及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN102983173B公告日2016.10.05

(21)申请号201210551776.3

(22)申请日2012.12.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN102983173A

(43)申请公布日2013.03.20

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人罗谦刘斌曾庆平严慧甘程王向展

(74)专利代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124

代理人刘世平

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

CN102299154A,2011.12.28,说明书第0028-0058段、附图1-23.

US2007/0181950A1,2007.08.09,全文.CN101636835A,2010.01.27,全文.

审查员李艳红

权利要求书1页说明书4页附图4页

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