CN119650408A 一种静电阱离子注入装置及其工作方法 （杭州谱育科技发展有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650408A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311192019.6

(22)申请日2023.09.15

(71)申请人杭州谱育科技发展有限公司

地址311305浙江省杭州市临安区青山湖

街道科技大道2466-1号

(72)发明人赵嘉幸刘立鹏朱涛胡建坤韩双来俞晓峰

(51)Int.Cl.

H01J49/42(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种静电阱离子注入装置及其工作方法

(57)摘要

CN119650408A本发明提供了静电阱离子注入装置和方法，所述静电阱离子注入装置包括电源和多极杆，所述电源为所述多极杆施加射频电压；多个环形电极设置在所述多极杆的外侧，并沿着平行于多极杆内离子传输方向依次设置；所述环形电极内侧的部分进入相邻极杆之间的区域；入口电极和出口电极分别设置在所述多极杆的离子进口处和离子出口处，所述电源为所述入口电极、出口电极和环形电极施加电压。本发明具有离子聚焦效

CN119650408A

CN119650408A权利要求书1/1页

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1.静电阱离子注入装置，所