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聚酰亚胺/二氧化硅杂化薄膜制备过程中微相结构演变过程*
秦家强 毛益民 盛兆碧 顾 宜**
四川大学高分子材料科学与工程学院,
高分子材料与工程国家重点实验室,四川成都,610065
在PI/SiO2 杂化材料制备过程中,采用掺杂方式加入的无机粒子存在着严重的
团聚现象而难以制备出均匀的复合薄膜,而采用溶胶-凝胶法可以制备出无机粒子
[1-2]
分散均匀的杂化薄膜。目前大多数的研究者研究的重点在于组成与性能的关系 ,
对杂化材料的微观粒子大小,形态的变化过程及其控制的研究报道很少。本文研
究了杂化材料制备中的微观结构演变过程,期望通过材料制备过程中微观形态的
研究,实现对材料最终微观结构和性能的控制。
实验部分
按照一定配比制得TEOS 和PAA (BTDA/ODA/DHTM 摩尔比为1:0:8:0.2)的NMP
溶液。将上述溶液按照SiO 含量为30%的比例配置得到PI/SiO 的前驱体。将该前
2 2
驱体溶液在玻璃上成膜。热处理工艺为80℃~1h,140℃~1h, 220℃~1h,350℃~1h.
分别得到所需样品。
实验采用激光光散射仪对不同温度处理的样品进行光散射实验;将不同热处
理温度下的样品拉断后用SEM 表征断面形貌。
结果与讨论:
研究发现,经过80℃处理后的杂化薄膜中已经形成了大小约为2um 的“二氧
化硅粒子”(fig.1 (a))。再经过 140℃处理以后的二氧化硅粒子大小变化不大
(fig.1(b))。经过 220℃进一步的热处理以后,发现二氧化硅粒子尺寸明显减小
(fig.1 (c)),从2um 减小到1.2um,说明此时二氧化硅中间物进一步发生缩聚,
其交联密度明显增大并放出小分子,二氧化硅粒子则发生收缩。另一个明显的变
化就是两相之间的界面结合较fig.1 (a)(b)发生了明显提高。最后经过高温350
℃处理以后发现二氧化硅粒子变化不大,但是两相之间的相互作用明显增强。其
原因可能是PI 基体中的活性羟基在220℃以上处理后与二氧化硅中的羟基形成了
较强相互作用从而改善了两相间的界面结合。与 PI (BTDA/ODA)体系相比较,在
* :“十五”863 项目,编号:200 1AA334020
** :通讯联系人
相同配方情况下如 fig.2 所示,发现 PI (BTDA/ODA)体系经过350℃处理以后的
两相表面光滑,结合很差。进一步证明 PI (BTDA/ODA/DHTM)/SiO 杂化薄膜中的
2
界面强相互作用是体系中活性羟基引起的。
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