RADFETsγ剂量探测器部分关键工艺对性能的影响.pdfVIP

探测器在加工中，由于金属一Si仇，特别是SiO2- RADFEI7剂里探侧器，利用两个性能基本相同 Si界面的结构缺陷，杂质污染所产生的界面电荷 IGFE7i,对温度响应基本一样，而两个 RADFETs 和复合中心的变化而对沟道的影响，从而导致探 漏极之闻的电压差，由于两个IGFEI4的闷值电 妈器性能的不稳定。为此，应采用数道工序之前 压受温度影响基本抵消，而受温度影响较小的原 对硅片、使用器皿、材料等严格清洗，选用低含钠 理，大大减小了RADFE1kY剂量探侧器的温度响 的器皿材料;氢一氧嫩烧生成为纯水生长S:1仇 应。 绝缘栅等清沽工艺。从而大大地降低了载化层 中可动电荷，固定电荷和界面电荷.其密度已小 2 结语 于5x10telcni。实验结果表明，探测器差分电压 RADFE723Y探测器具有体积小、里量轻、功耗 30s漂移小于O.1mv;lnmin差分电压漂移小于0. 低、能贮存信号、测里电路简单等优点，因此应用 2mVe 空间广泛。开展其性能研究非常必要，除上述工 1.3探洲盆的沮度晌应 作外，探侧器能t响应，抗环境性能等研究也是 众所周知，温度系数较大是半导体器件的重 我们今后工作的重要方向。 要特点。RADFE71a7剂量探测器随着温度的变 化，由于依赖于半导体摇杂浓度No和栅载化层 奋考文蔽: (1)EnSellG.NuelInscummethods,1988,6769:655. 厚度的探测器阔值电压的变化.严重地限制 以IGlat4dumDZ,etal.AutomuteddataCollectionendcinel- RADFE7Y剂I仪的Mit精度和分辨率。据报 ysissyatem肠MOSFEr,Redinfionadetectors[J].Medied 导，对于凡二lollctrl一,d=loon.和凡二100 户州.，1991,18(3): Cm一st，二l21am的探侧器阅值电压的温度系数 [33AD一A^189026(DRFO一971)9ep,87. 分别从1一20mV/`C。为降低探侧器的温度响 [43AD一A214,634(REM一FM一89一1)Sep89. 应。我们采用了在一个基片上制作两个结构相 [53保罗·里奇受(沈挂新译).MOB场效应管和集成电路 同、性能相似而对称的 IGFU 组成一个 工Ml.北京:人民邮电出版社，1980. SomefactorsiuflaencingpertormancesofRADFEB LIUHang-yu,MALni,ZHOUChun-zhi,UYuan-fang,ZHAOJisn-zing (Reses,山InstituteofChmeicalDaence,P.O.Box1044,Beij吨1022仍) Abstract临，papainsrtoducesbriefly如seefactonmn+miyperfurmamxsof刊田FEEa.The~ of奴Productionofthese 曰tea抽veben山留山曰记. Keywords:AADFEI4deteotor;esnsitive;temperature 上〔接第29页,matinuedfrompage29) ThedetectingefficiencyofI3PGedetector ZHUChuan-xin,CHENYuan,GUOHai-ping,MOUYun-fang,ANu，WANGXin-hua (InstituteofNuclear外州.and伪emi勾，ChinaAcademy试EngineeringPhysics, P.0.11ox919.213,MianyeogofSichuanPmv.621900,China) AbstractMeasurementsof