一种提高高压P型LDMOS隔离能力方法.pdfVIP

2011年11月 第卜七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 中国三亚 一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法 孙尧，刘剑，段文婷，陈瑜，陈华伦 (上海华虹NEC电子有限公司，上海201206) 摘要： 提出了一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法。通过一步深N型阱和一步浅N 型阱来替代传统的单深N型阱工艺和结构，在确保高压PLDMOS器件在垂直方向上的PNP穿 通问题与传统结构工艺相当的同时，大幅提高同尺寸隔离环的隔离能力。 关键词： P型LDMOS器件；击穿电压；隔离环；深N型阱；浅N型深阱 1 引言 使用。高压P型LDMOS的传统结构在漏端扩展区为P型阱(draindrift)，其下会有深N型阱注入，以用作 隔离。在垂直方向上看，形成了PNP(P埘m 其纵向的穿通问题是器件设计和T艺开发难点所在，解决冈穿通问题而带来的一系列其他问题，一直是设 计者和工艺开发者努力的目标。本文即以此为目标，设计了一套新型的工艺结构方案，提高了器件之间的 隔离能力，从而改善了器件的整体性能。 2结构和原理 2．1传统工艺结构 对于传统的P型LDMOS器件，工艺基本上是采用较高净掺杂浓度的深N型阱注入条件，并伴随强的 N drift． 推阱(thermaldrive抽)工艺，使深N型阱(Deepwell，DmT矿)在垂直方向上浓且深，来避免PNP(P DNW-P型衬底)的穿通。但是，较深的深N犁阱会使器件与器件之间的隔离出现问题，因此必须通过增加 P型埋层或采用较大的隔离环(Isolationring)面积的方法，来确保器件之间的隔离。但是，这种增加成本和 牺牲面积的做法对于芯片设计者来说很不利。 图l为传统的P型LDMOS结构剖面图。其中，区域l为正垂直方向上的PNP(Pbody．DNW-P型衬底) 结构，区域2为等势环(Guard ring)到隔离环(Isolationring)的有效隔离区域。 图l传统的P型LDMOS结构剖面图 图2为两个相邻的PLDMOS的净掺杂(Netdoping)分布图。可以看出，当采用较深的深N型阱，由于 其深度大于隔离环的Pbody深度，在深推阱的过程中，使得两边的深N型阱非常接近，这样隔离环的隔离 能力就非常弱了。这时为确保相邻的高压器件之间的隔离，通常可以采用下面两种方法：1)在工艺流程中 增加P型埋层，以之作为隔离环，则其高浓度可钳制两边的深N型阱的耗尽区，使之不会穿通：2)增加 隔离环尺寸，在足够大的情况下两边的深N型阱的耗尽Ⅸ亦不会穿通【2，31。这两种方法，其代价是一样的， ．241． *尧等t一种提高岛＆P型LDMOS隔离能山11勺^法 图2采用传统镕构的M十相邻的PLDMOS的净掺杂(Netdoping)分布图 崮中口色虚线为耗辟B边#；自色实线为PN结边界 2．2新工艺结构 力的方法，在尽幂减少丁艺复杂度和成本的前提下，保证相邻的高胍器什之问的隔离。其器件结构剖面图 如图3所示。 区域2为等势环(Guamnng)到隔离环(Iso㈨o…曲的存散％离区域 dd∞区域下注入深N型 如图3所示．这种新型的器件结构具体T艺流程实现方法为：在P型阱(drain N N well．DNw)t井伴随着强的热过程推阱(thermaldrive．in)r艺，使深N犁阱(Deepwell，DNw) 阱(Deep 器件的等势环(91Iardflag)到隔离环(Isolationring)的K域N型阱与P犁衬底结渫变浅。这样，由1：隔离环两 边是结深较浅的浅N型阱，同样尺寸的隔离环隔离能力将大大提高。 3结果与讨论 图4是我们采用新工艺方法的两