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双栅场效应管在微波电路中的应用 顾忠诚’ 21001 总参第六十三曰}究所 (南京 6) 摘要 本文综述了双栅场效应管(DGFET)在微波f色路中的多种应用，在分析电路原理基础 上．给出了一些具体实验电路和数据． 关键词双拓FE]’双料FET混粮器双抒FErr倍频器可壹增益放太器 0引 言 GateGaAsFieldEffect 双栅砷化镓场效应管(Dual Transistor)自问世以来，以其独 特的性能，已在诸多微波电路中得到应用。本文作者运用双栅FET特性，在混频、倍频、诵 制放大、可变增益等电路作过实验，下面就一些其体由双作一介彤 ] 1双棚FE]、微波电路 F 1．1双栅FET混频器 混频器有无源和有源两种类型，有源混 频器中又有单栅FET混频器和双栅FET“ 混频器。与荜栅FET混频器比较，双栅 圈1双{{：}F盯f是频器 FET混频器具有更高的混频增益，其电路 如圈I所示．利用双栅FET的特点，本振加到第二栅极，信号加到第一栅极，中频由漏极 输出．由于第一棚与第二栅之间有20dB隔离，这样电路巾可省去输入耦合器，使电路紧 凑．由于信号与本振从不同回路加到FET上，故匹配电路是分开的。第一栅匹配于信号 频率，第二栅匹百已于本振频率，使变频增益最大，漏极匹配于中频，以达到最大中频输出。 表】列出了几种混频器的比较． 表1 哚声系数(典型值) 6—10dB 8—1，dB 4—6db RF／LO与fF的鼯离甜要滤波器 ％要鲢故i 需要滤泼器 LO与RF的浒+ 徭要祸台饕 、OdB 前妥端台器 带宽 倍频程 多倍颧程 倍频程 饷镒 有 无 91— 2．2双栅FET倍频器和分频器 2Hn 1)倍频器 n n l～I 配上合适的滤波器便可构成倍频．竺■7≯I—划 (；I L2=．J 配上萼萎豁淼篓可珊r舭 器，与单栅FET倍频器相比，双 f～fL 广1 栅FET有更高的小信号增益，因 一 fl U 而有更强的非线性．我们知道，双 栅器件可模拟成两个单栅器件级 陌’1一一个拖鼍嚣 联，如图2所示．信号从第一栅输 c 。。1’oommHz9F卦NmokI-t2 …u ，o…= Ⅲj。kH*忡‰- a．输入信号频谱 ，笺蒜未车疆_0+≤二 t蕊驾菌 b．输出{青t；。．谐 圈3倍频器输出前后