先进的工艺流程控制拓展电化学机械抛光工艺相容性.pdfVIP

维普资讯 先进的工艺流程控制拓展电化学机械 抛光工艺相容性 AntoineManens，PaulM iller，EashwerKollata，AlainDuboust (AppliedMaterialsInc．，SantaClara，California) 摘 要：电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供 了更大的控制能力。而一个多区的阴极允 许对圆片内部均匀性进行精确的控制。马拉松式运行展现了在保持工艺规程 同时具有扩展设备消 耗性部件使用期限的能力 一种终点算法可以接受前馈控制数据调整一些方法并有效地减少圆片 内部表面形貌的变异。 关键词：工艺控制；化学机械抛光；电化学机械抛光；片内均匀性；终点算法 中图分类号 ：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4507(2008)06—0024．04 AdvancedProcessControlExtendsECMPProcessConsistency An toineManens，PaulM iller，EashwerKollata，AlainDuboust， (AppliedMaterialsInc．，SantaClara，Califomia) Abstract：ECMPprovidesgreatercontrolcapabilitiescomparedtoCMPprocesses，andamultizone cathodeallowsforprecisecontroloverwithin-waferuniformities．M arathonrunsshow abilitytoextend thelifeofsystem consumablepartswhilemaintainingprocessspecifications．An end—pointalgorithm canacceptfeedforwarddatatoadjustrecipesand significantlyreducewithin—wafertoporgaphic variation． Keywords：Processconrtol；CMP；ECMP；Wthin—waferunifomr ities；End—pointalgorithm ProcessconrtoliSincreasingly importanttore— trochemicalmechanicalplanarization (ECMP)asa ducecopperlinevariationsofon-chip interconnects promisingtechnologytoincreaseprocesscontrolrela— forthe65nm manufacturingnodeofICsandbeyond． tivetortaditionalCMP． A recentIBM study 【】addressedthevariab-lesaffect— Advancedprocessconrtol(APC)isnecessaryto ing thesheetresistanceofdamascenecopperlines， mainatin processconsistency，especially acrossex— tendedwaferrunswhereCMPconsumable“pad”life and identifiedhteneedofrincreasedprocessconrtol ofcopperCMP．Thesamestudyalsohighlightedelec一 becomesalimitingfactor．Theweartohtepadover 收稿 日期 ：2008．05．15 ⑧ (总第161期)皿曩圆