论MOS二极管结构的本征滤波特性研究.pdfVIP

中国电子学会电路与系统学会第十九届年会论文集 论MOS二极管结构的本征滤波特性 王阳 (北京大学 北京 100871) 摘要：本文分析、比较了几种MOS二极管结构固有的本征双积分器环的直漉工作条件和滤波特性，讨论了 它们各自的适用领域。 关键词：模拟电路 滤波器 010s集成电路 一、引言 在模拟电路设计中，MOS晶体管常用的一种基本形式是在漏极与栅极之间引入正反馈， 如图1所示，这时T1管的栅极电压和漏极电流有类似于二极管的整流特性，故称为MOS二 极管结构。它经常作为电流到电压的转换器而用在模拟电路设计中。由于漏极与栅极之间反 馈的引入，使得节点动态电阻变得很小。所以对电压型电路频率特性的影响经常被忽略。但 是，随着集成电路工作频率和密度增高，需要简化电路、降低电压和功耗、充分利用芯片资 源，因此有必要仔细研究这类结构的特性，并通过仔细设计来提高电路特性[1]。MOS二极管 最常用的形式是直接将漏极接到栅极，这时它构成一个非线性电阻，频率特性比较简单，但 是，当用晶体管实现反 馈时，可以形成一个双 积分器环，这时它可以 有较丰富的频率特性。 本文集中研究这种结构 团 作为双积分器环的直流 工作条件和本征滤波特 性，讨论在低压和高速 (aJ一般结构 (b)小信号等效电路 电路方面应用的利弊。 圈I她s二极管 二、MOS二极管电路 结构 在图1(a)所示的一般MOS二极管结构中，反馈晶体管T2有多静实现形式。它们主要分成 两类：以共漏管或共栅管作为反馈管。图2给出四种典型反馈形式构成MO$二极管结构，其 中反馈管分别是： 管。 (c)共栅aMOS、(d)共栅pMOS }!}I (a)共漏ntdOS、(b)共漏pMOs、 2不同反馈形式的Mos二极管电路。 中国电子学会电路与系统学会第十九届年会论文集 对于图2四种MOS二极管结构，MOS管作为高输出阻抗的跨导器使用必须保证工作在 饱和区。在小信号条件下，保证它们处在饱和区的工作电压分别是：结构fal (d)VDD删o=Vgsl+2lVdss。币I，和√(2Id51瑚x／1)+VTI·lV髓I-VBVDD—lV血，s。如HVT2j一4(2ids2删。／2)。 在一定的电源电压和偏置电压下，保证MOS管(包括作为电流源的晶体管)工作在饱和 区，偏置电流存在一定的限制。 可得： 42I口l／，l+42182／卢2≤％D一1％∞(，口1)|_吁】一吩2 且Vg¨=IVg。2l十Vdsl，可得T1管饱和条件为：lVg。2l-Vrl，因此有： ，o2≤(芦2／2)(％l一吁2)一 当T1管电流增大时，Vd增加，可以使电流源IB2管退出饱和区。保证电流源IBz管工作在饱 和区，要求VDD≥Vgsl+IV拈蛆【Dl，因此有： 厶ls饵／2)(p如一f‰。|_‰)。 对于图2(c)结构，当IB增大时Vm增加使V“下降，导致T1管退出饱和区。保证T1管 V刚-VTl≤VB-V蹯2。如果IDsl=IDs2=IB，则有： ，月≤(∥2／2)(％一■2)2／(1+,／A／展)2 取VB-W】+V口即使IB=0，T2管也在饱和区。 果I＆，过大，将使Vd2过高，从而导致T2管退出饱和区。T2饱和的条件是： |VB．V。2|．IVT2㈤V2。l-V。2{，即：Vs+IVT2I_Vg。1，因此有： ，m≤b2+(崩／2)(％一％1+l吩2)‘ 对于～定的v。，如果IB：过犬，V。2过高，将使电流源IB，退出饱和区。电流源IBI管饱和要求： v肋-lVd；，勰∞i叫V蚪J+VB，因此有：