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TMBS整流器与传统整流器比较及其对系统效率影响 　　摘要：本文将讨论业界第一款商用沟道式MOS势垒肖特基(TMBS)整流器的设计和制造工艺。这类器件可以与传统平面肖特基和超快恢复二极管的电气特性相媲美，具有相当于两种技术的优势。本文将对100V和200V整流器的TMBS器件的特征进行描述，在电信开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器应用中对200V TMBS器件进行评估，并分析和说明其对提高系统效率的影响。 　　 　　引言 　　 　　 　　肖特基整流器通常是高频电子应用中的理想选择，因为它具有高开关速度和低正向(导通状态)压降的特点，但是直到最近，大多数应用的肖特基整流器都受到了低于100 V工作电压的限制。 　　其中部分原因是当反向阻断能力接近200V时，肖特基整流器的正向压降(VF)将接近PIN整流器的正向压降，使之在应用中的效率更低。为了适当地端接高反向电场，P型半导体保护环在正向导通模式下把少数载流子注入到N型漂移区。但这些载流子将导致高开关损耗，并在开关条件下减慢肖特基整流器的响应速度。 　　创新的沟道式MOS势垒肖特基(TMBS)整流器可以突破传统的平面肖特基器件的所有局限性，缘于它采用了新型边缘端接设计的Vishay沟道MOS专利技术，其结构如图1所示。图中wt、wm和Ht分别代表沟道宽度、硅细线宽度和沟道深度。 　　沟道MOS结构还可以实现漂移区的电荷耦合效应。如图2所示，左侧的x轴是硅表面，这里形成了肖特基势垒。TMBS结构的耦合效应把电场分布从线性变为非线性，并成功地改变电场分布，使较强的电场从肖特基金属硅界面转移到硅衬底。减少的表面电场将抑制势垒下降效应，显著减少一个给定肖特基势垒高度的泄漏电流。这将有助于降低所使用的肖特基势垒的高度，而不必牺牲反向泄漏性能，进而使正向导通状态下的压降有所下降。 　　 　　 　　器件特征描述 　　 　　本节将对100V和200V TMBS整流器的器件特征进行描述，其结论可适用于其他电压的TMBS器件。 　　 　　40A／100V TMBS的特征描述 　　与传统60 A整流器相比，40A／100V TMB s器件显示出更好的正向压降性能。TMBs器件的开关性能也更好。 　　 　　200V TMBS的特征描述 　　通过与数据手册额定值为90A的标准平面肖特基整流器，以及来自领先功率半导体制造商的三种类型的额定值为30A的超快恢复二极管(UFRD)相比，在结温为+125℃，电流密度为180／cm2的相同条件下，200V TMBs器件的性能至少可以改善13％，性能对比曲线如图3所示。值得注意的是，由于UFRD在200V市场上占据统治地位，与相同尺寸的UFRD相比，在电流密度为180A／cm2(T1=+125℃)时，200V TMBS整流器的VF值有16％的改善，而其开关特性是相同的，具体的电气特性比较如表1所示。从表中可看到，在IF=15A，di／dt=200A／US，VR=200V及TJ=+125℃条件下，一个商用UFRD(2型)的反向恢复性能优于200V TMBs整流器，但在相同的电流密度180A／cm2下，其VF值要比200V TMBS器件高出近19％。 　　 　　应用 　　 　　本节将关注100V和200VTMBS整流器的应用，结论也可用作已发布的其他电压器件的参考。 　　为在实际应用中对比新型TMBS整流器与传统平面肖特基器件，本文进行了一系列实验，对TMBS器件及采用平面技术的肖特基整流器产品进行了测试分析。 　　350W／100V开关模式 　　电源(SMPS) 　　为了对100V应用进行评估，选择350W SMPS作为测试对象。对额定值为40A／100V的TMBS器件与额定值为20A／100V的标准肖特基整流器(MxxxxH100CT)，以及两个额定值为60A／100V(XXCTQ100和STxxxxH100CT)的同类器件进行比较。评估中的所有器件都采用标准TO-220封装。 　　评估结果如表2所示，可以看出，在输出67％(约235W)的满度额定功率水平下，额定值为20A的器件可实现最低78.3％的总电源效率，当用这类器件替代同一个电源插槽的额定值为60A的器件时，可观察到效率的提高。 　　 　　120W／100V适配器 　　本文采用120W适配器测试了额定值为40A／100V(VTS40100CT)的TMBS整流器。这个应用的典型解决方案是一种同步整流方法，可以用两个40A／100VMOSFET以及一个匹配的驱动芯片来实现。测试数据如表3所示，在满度额定功率120W输出条件下，两个TMBS整流器可提供与更复杂、昂贵且不够坚固的同步整流解决方案相同为87％的总适配器效率。 　　 　　180