VSb块材、表面及界面性质的第一性原理研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 I I 摘 要 传统的电子元件都是利用了电子的电荷作为信息载体，却忽略了电子的另外一 个重要的性质——自旋。基于自旋属性的自旋电子器件（如自旋阀、自旋场效应晶 体管等）的实现需要具有高自旋极化率的材料注入到半导体中。半金属铁磁体是有 完全的（100%）自旋极化率和较高的居里温度，是最佳的自旋极化注入源。但在实 际的自旋电子学器件中，半金属材料的存在形式大都是具有一定厚度的薄膜，换句 话说，在自旋电子学器件中真正使用的是半金属薄膜。因此，研究半金属铁磁体的 表面性质及界面性质是非常重要的。 本文主要利用基于密度泛函理论的材料模拟软件 Wien2k 和 CASTEP 对闪锌矿结 构的半金属铁磁体 VSb 的块材、（001）表面和 VSb（001）/GaSb(001)界面的电子结 构和磁性进行计算。 计算结果显示 VSb 自旋向上的电子的能带是金属性的，而自旋向下电子的能带 在费米面附近有一个明显的能隙——1.30eV，从而得知 VSb 具有半金属铁磁性，具 有 100%的自旋极化率，并且还得到一个 VSb 分子的磁矩是 2 μB 。对闪锌矿结构 VSb （001）表面的计算表明，由于表面态的存在，以 Sb 为端面的 VSb（001）表面失去 了半金属性；而以 V 为端面的 VSb（001）表面保持了块材的半金属性，并且表面层、 次表面层和第三层上的原子的态密度与块材的都很相似，另外，我们还发现从第四 层向下原子的磁矩与块材的大体相等，而上三层原子的磁矩都发生了改变，比如表 面层的 V 磁矩为 2.87 μB ，比块材大了 0.83 μB 。 另外，我们还对 VSb（001）/GaSb（001）界面结构进行了计算，发现界面层和 顶面层也都保持了很好的半金属性。与块材中的 V 原子和 Sb 原子的态密度相比，表 面层原子的态密度在形貌和大小上都发生了较大的变化，但界面层和近邻界面层的 原子态密度没有太大变化。这说明 VSb 和 GaSb 在界面处有很好的成键行为，这对 未来的自旋电子器件的设计是很有利的。 关键词：自旋极化率，半金属铁磁体，密度泛函理论，表面和界面，自旋电子器件 II II Abstract The traditional electronic components all used electronic charge as the information carrier, but not considered the other important property-electronic spin. The spin electronic devices based on spin properties (such as spin valves, spin field effect transistors, etc.) needed to achieve high spin polarization of the material injected into the semiconductor. Half-metallic ferromagnet is complete (100%) spin polarization and high Curie temperature. It is the best source of spin-polarized injuction. In the practical spintronics, the existent method of half-metallic materials is film with some thickness. In other word, half-metallic film is really useful in spintronics. In this paper, with the help of the plane-wave pseudopotential method based on the density functional theory, we investigated the electronic structure and the magnetism of the bulk VSb, (001) surface and VSb(001)/GaSb(001) interface in the zinc-blende structure. Our computational results indicate that the spin-up electrons of zencblende VSb are metallic while there is an obvious