掺杂改善 MgB2超导体晶间连接性和磁通钉扎性能研究-材料加工工程专业论文.docxVIP

Classified Index: TH142 U.D.C: 620 Dissertation for the Master Degree of Engineering Study on the Doping to Improve Grain Connectivity and Flux Pinning of MgB2 Superconductor Candidate: Guo DongJie Supervisor: Prof. A.P. Baker Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Materials Processing Engineering Affiliation: Shenzhen Graduate School Date of Defence: June, 2011 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 摘 要 自 2001 年发现 MgB2 的超导电性以来，关于 MgB2 的界面组织和电学性能 已经有了多重形式的研究。然而，作为一种在具有广阔应用前景的材料，MgB2 在高场下的临界电流密度还远远不够。所以目前研究的重点是如何提高 MgB2 的晶间连接性和增加更多的钉扎中心来提高在高场下的临界电流密度。 本研究主要采用掺杂 Cu 和 Al 来提高 MgB2 的晶间连接性和磁通钉扎性能。 Cu 掺杂的机制是 Cu 与 Mg 反应生成稳定的化合物 MgCu2,填充了 MgB2 的晶间 空隙来改善 MgB2 的组织形态，同时可作为一种有效的钉扎中心。相比于 Cu 掺 杂，Al 掺杂则是直接进入 MgB2 的晶体结构，替代 Mg 的位置，引起晶格畸变， 从而产生有效的钉扎中心。 由于 MgB2 的晶间连接性与制备工艺有很大的关系，在不同参数下进行了 MgB2 粉末和块材的制备。在 Cu 掺杂下的 MgB2 粉末制备中，通过 Cu 掺杂比 例，烧结温度，保温时间的改变，以及在不同表面积的不锈钢网上烧结进行分 析 ， 得 到 了 两 个 具 有 良 好 的 晶 间 连 接 性 的 烧 结 参 数 ： Mg ： B ： Cu=1.1:2:0.1,600°C+5h 保温和 750°C+2h 保温,额外的 10%Mg 增加了熔融 Mg 的 流动以及弥补了烧结中 Mg 的挥发。Al 含量的增多会造成更剧烈的晶格畸变， Mg 的含量会影响组织中的相成分。Mg：B：Al=1:2:0.1，750°C+2h 保温是一个 良好的试验参数。 在 MgB2 块材的制备中，对质量和密度等宏观物理性质进行了分析。质量 和密度都有不同比例的减小，而体积却相对增加。原因在于烧结过程中 Mg 的 挥发和应力释放。Cu 掺杂的块材在高温下晶界模糊，在 750°C 可以获得良好的 相纯度和晶粒间连接性。Al 掺杂的块材在高温下会有杂质相生成，晶粒长大明 显，晶格畸变加剧，在低温下能够表现出良好的六方棱柱形态。 由于 Cu 与 Mg 的两种不同掺杂机制，本实验还尝试了将 Cu 与 Al 共掺杂到 MgB2 中，然而在 Cu，Al，Mg 共同存在的区域，出现了杂质相，初步判定为 Al2Mg 和 Al4Cu6，这些杂质相的存在势必会影响 MgB2 的电学性能。如果能够 使它们的晶粒尺寸小于 MgB2 的相干长度，这些杂质相会成为有效的钉扎中心。 对共掺杂样品的超导临界转变温度表明，临界温度主要受 Al 相对含量的影 响，在临近超导区域，由于超导涡流态的影响，出现二次临界温度转变的线性 变化，表明共掺杂改善了材料的磁通钉扎性能。 关键词：MgB2 超导体；共掺杂；晶间连接性；超导电性；钉扎中心 - I - - - II - ABSTRACT Since the discovery of superconductivity in MgB2 in 2001, the interface morphology and electric property have been studied in many types. However, as a promising candidate for high field magnet use, the critical current density of MgB2 is still insufficient. So the focus of the research is to find out a way of improving the grain connectivity and incr