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射频变革高速高频
射频变革
交互方式
5G场景多样化+便捷化
5G
三、四摄/3D
三、四摄
/3D Sensing
富化
功能复杂化
光学/超声波指纹
光学/超声波指纹
换机潮
双电芯
双电芯/ 大容量
OLED屏
OLED屏/
折叠屏
资料来源:整理
5G:eMBB\URLLC\mMTC;
未来3年主要是sub 6G的升级。
频段频率带宽中国移动band 39
频段
频率
带宽
中国移动
band 39
1.9G
20Mhz
band 40
2.3G
50Mhz
band 41
2.5G
60Mhz
中国联通
中国电信
band 40
2.3G
50Mhz
band 41
2.5G
60Mhz
4G后期CA逐渐成为广泛使用的技术;
Sub 6G的升级,依靠MIMO技术实现。
图表:从分集到复用
17年10月,高通发布5G基带X50,采用单模设计,不兼容4G-2G频段,需外挂使用,19年第一批5G手机,包括已经发布的5G版三星S10,均是外挂X50基带;华为18年8月发布多模设计5G 基带巴龙5000,将使用在19年5G手机上;
高通19年2月发布第二代5G基带X55,多模设计,覆盖5G到2G主要频段,年底商用。
图表:华为5G解决方案麒麟980+巴龙5000 图表:高通第二代5G基带X55
资料来源:电子发烧友, 资料来源:电子发烧友,
手机内部基本构造依不同频率信号的处理可分成射频、中频、基频三大部分;
射频前端模块由功率放大器PA、滤波器、双工器、开关等组成。
每增加一个频段,都需要增加一个滤波器、双工器和开关。
图表:射频前端示意图
资料来源:微波射频网,
根据Yole数据,2017年射频前端市场规模150亿美元,到2023年将达到350亿美元,复合年 增长率为14 ;
各细分市场增速不一:滤波器19 ,规模最大、增速快,从80亿增长至225亿;功放7?,开关15 ,低噪放大器16 ,天线调谐器15 ,毫米波器件将达到4亿美金。
图表:全球射频前端市场规模 图表:射频前端细分市场规模及变化(美元)
资料来源:QYR , 资料来源:Yole,
SAW:1.5GHz以内的应用,小型片式化,但通过开发高性能的压电材料和改进IDT设计实现高 频宽带化、降低插入损耗,以适应5G应用,同时具有温度补偿特性的高性能TC-SAW需求将增多;
BAW:适合高于1.5GHz时使用,尺寸随频率升高而缩小,适合要求苛刻的5G应用,且对温度变 化不敏感,插入损耗小,带外衰减大;
适用于5G的高性能滤波器价值量更高。
图表:各类滤波器性能 图表:手机内部使用滤波器情况
资料来源:电子发烧友, 资料来源:电子发烧友,
PA:把TX-VCO振荡出频率信号放大,获得足够功率电流,经天线转化为电磁波辐射出去;
半导体射频工艺主要有COMS、GaAs和GaN三类,未来将向GaN制程转移;
GaN优势:可承受较高工作电压,可工作环境温度高,实现更高的功率密度以减小PCB体积, 对于给定功率水平的能耗较低,响应快、频率特性好,适合高频率、宽带宽的应用,输出阻抗更高,便于阻抗匹配和功率组合;
GaN成本较高,采用GaN工艺的PA价格更高。
图表:各代代表性半导体性能对比 图表:既定功率水平下相同电路不同材料的体积对比
资料来源:YOLE, 资料来源:微波射频网,
开关:切换天线工作状态的开关,接在电线和射频处理电路之间,这个开关的切换是CPU控制的,天线开关切换的是频段以及接收、发射状态;
天线开关技术主要有GaAs、SOS、SOI、MEMS4种;
MEMS优势:运行能力好、宽带宽、小尺寸、高线性度、长寿命;
目前SOI工艺制备的射频开关无法满足5G时代的高线性度要求,MEMS开关迎来发展机遇,而
诸多技术优势也使其成本相对较高,进一步提高射频价值量。
图表:天线开关示意图 图表:天线开关技术演变
资料来源:电子发烧友, 资料来源:YOLE,
射频前端市场集中度较高,被四大海外巨头Skyworks、Qorvo、Avago和Murata垄断,合计 市场份额占比超过85 ;
滤波器:Murata、TDK和太阳诱电在SAW占有率超过80?,Avago和Qorvo在BAW占有率超过95 ;
PA:Skyworks、Qorvo和Avago合计占据85?以上的市场份额;
开关:大多在北美,欧洲和亚太地区,2016年亚太地区的产值占全球RF开关总产值的62?以
上,Skyworks占据22.56 的市场份额。
图表:2016年SAW市场占有率 图表:2016年BAW市场占有率
资料来源:Skyworks, 资料来源:Skyworks,
图表:2016年PA市场占有率
资料来源:Yole,
2015年起射频前端厂商推出模块化方案,将功放、双工器
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