基于运算放大器的信号调理电路的EMI磁化率模型[外文翻译].docVIP

PAGE 1 文献翻译 基于运算放大器的信号调理电路的EMI磁化率模型2 摘要：基于运算放大器（OPAMPs） 的电路很容易受到射频范围内的由内部晶体管的非线性产生的AM解调的电磁干扰（EMI）。这种现象通常使解调的信号产生在低频率范围内。本文基于一些测试参数，忽视了电路中运算放大器的内部结构，而提出了一个可以预测模拟信号调理电路的敏感性模型。该方法已在两个应用程序中进行了实验测试的：1）简单的仪器适配器电路测试和 2）预测EN55020驻极体话筒的放大器敏感性。 关键词：电磁干扰（EMI），运算放大器(OPAMP），敏感性。 I. 引言 仪表系统容易受射频（RF）范围内的电磁干扰（EMIs）的影响，其振幅以相对较低的频率随机变化。这种射频信号被传感器和系统捕获，作为真正的天线，对信号调理电路进行电磁干扰的信号调理， 并导致错误，甚至一个系统的错误操作。这种信号调节一般是基于运算放大器（OPAMPs）或简单的晶体管，无论是双极型或MOS，都在线性模式下运行。无论是作为单个组件或是作为运算放大器输入级的一部分，晶体管放大器的非线性都会导致射频信号[1]的AM解调，并使输入信号分为三个不同的部分组成[2]：一个非零均值的直流分量信号，一个基于原来射频信号的射频分量和原来射频信号的振幅包络源性信号的低频部分，这些部分如图1所示。 图1.线性ICs在EMI输入时的响应.（a）EMI源 （b）运算放大器响应 2Javier Gago, Josep Balcells, David Gonz′alez, Manuel Lamich, Juan Mon, Alfonso Santolaria. EMI Susceptibility Model of Signal ConditioningCircuits Based on Operational Amplifiers[J]. ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY, Vol. 49, No. 4, November 2007. 由于这些输出分量处在运算放大器的排斥波段，所以通常在射频范围内输出量会减弱，但直流分量和低频部分进入放大器的通频带，通常不会从真实信号分离。 对于运算放大器的错误偏移提交的电磁干扰信号可以通过时域模拟预测。文献[3]和[4]描述了上述第一种做法的模型。这种模型使用了运算放大器的整个内部结构，每个晶体管是一个非常精确的等效电路模型。这种方法太过于复杂，仿真速度太慢，而且费用过高。最近有试图获得EMI的模型，见文献[5]-[7]，运算放大器被作为宏模型使用，其中只有对输入晶体管进行了详细的考虑。其他在文献[8]中用来预测偏移的方法，都是基于整个运算放大器的分析模型而不是电路模型。输出波形由于射频和非线性的综合影响，也可以建立时域模型，然而文献[9]中介绍的频域技术展示了其在仿真收敛速度方面更具效率，而且避免出现问题。 上述所有技术都集中在一个单一的运算放大器上而不是对整体信号调理电路的模拟，因此必须对运算放大器的内部结构有一定认识。例如，文献[10] - [12] 提出的分析模型对直流偏移的频率和输入共模（CM）和差模（DM）的射频信号的幅度给出了非常良好的预测，这需要对一些内部晶体管的电气参数和在运算放大器的输入寄生电容值的知识的掌握。 在许多实际案例，如文献[13]中，内部结构和内部晶体管的参数是位置的，所以上述方法难以适用。本文提出了一种方法，在上述理念的基础上，使用宏模型来代替采用与内部结构相关的参数。该方法可应用于各种运算放大器，尽管他们采用的技术（双极，MOS管，或FET）不同。本文介绍的测试方法，获取宏参数，而忽视了内部参数和运算放大器的结构。该方法和衍生的模型，同时适用于从AM解调获得的直流偏移和低频干扰。 本文组织如下。在第二部分，我们提出一个模型来预测在前面的运算放大器的射频干扰的易感性。在第三部分，我们详细描述获得模型参数值的过程。第四部分对全过程进行了验证。一旦过程被验证，它会在第五部分用于预测结果的敏感性，并对音频放大器的设计进行改进。最后，第六部分叙述结论。 Ⅱ.简单的运算放大器敏感性模型 考虑到整个检测仪器或测量系统的电路，它通常是由传感器，模拟信号调节器（基于运算放大器），以及电缆或印刷电路板组成（PCB）组成并链接起来。这种系统的最常见的导致错误操作的原因之一是电磁干扰耦合到电缆和电路板之间的传感器和信号调节器，如图2所示。这种电磁干扰来自附近系统的电场或磁场活动，它包括一个随机变化幅度的射频信号， 图2.仪器电路受E,H近场的影响 该射频信号产生输入的CM和DM干扰电压 ，分别标记为和，并可由如下公式（1）和（2）表示