电子“科创”系列报告:澜起科技,全球领先的内存接口设计厂商.docxVIP

电子“科创”系列报告:澜起科技,全球领先的内存接口设计厂商.docx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
目录索引 HYPERLINK \l _TOC_250011 澜起科技:全球领先的内存接口设计厂商 5 HYPERLINK \l _TOC_250010 深耕内存接口芯片十年,技术优势行业领先 5 HYPERLINK \l _TOC_250009 历史财务表现:呈现快速增长趋势 7 HYPERLINK \l _TOC_250008 IPO 前后股权结构 7 HYPERLINK \l _TOC_250007 澜起科技投资结构相对分散 8 HYPERLINK \l _TOC_250006 供应商及客户情况优异 8 受益数据中心建设与技术换代,内存接口芯片有望量价齐升 9 HYPERLINK \l _TOC_250005 云计算驱动,数据中心建设步入高速期 10 HYPERLINK \l _TOC_250004 从服务器发展趋势看接口芯片的超预期成长 11 HYPERLINK \l _TOC_250003 澜起研发加募投锁定未来成长 13 HYPERLINK \l _TOC_250002 研发高投入,保证自身竞争优势 13 HYPERLINK \l _TOC_250001 未来战略聚焦技术升级和新兴行业,募投彰显成长信心 14 可比公司估值比较 15 HYPERLINK \l _TOC_250000 风险提示 15 图表索引 图 1:澜起科技发展历史 5 图 2:澜起科技业务构成 5 图 3:内存接口是 CPU 读取数据和指令的必要通路 6 图 4:澜起科技主产品为RCD+DB 的 LRDIMM 6 图 5:澜起科技两款内存缓存芯片(MB) 6 图 6:津逮服务器平台 6 图 7:公司近 3 年营业收入(分产品) 7 图 8:公司产品销量和单价情况 7 图 9:公司营收和归母净利润 7 图 10:公司毛利率和净利率变化 7 图 11:澜起科技发展历史 8 图 12:公司前五大供应商、客户占比变化 9 图 13:公司销售情况部分(亚太地区为主) 9 图 14:全球内存接口芯片市场规模以及增速 10 图 15:全球超大规模数据中心数预测(个) 10 图 16:全球服务器出货量边际明显 10 图 17:2018 年中国数据中心占比 8%,全球第二 11 图 18:中国 X86 服务器出货量预测(百万台) 11 图 19:服务器以及内存系统三大核心需求和发展趋势 11 图 20:存储器领域的摩尔定律逐渐放缓 12 图 21:尺寸缩小无法满足DRAM 性能提升需求 12 图 22:不同内存产品传输速率和工作电压 12 图 23:内存产品向高端发展趋势明确 12 图 24:澜起研发投入情况 13 图 25:内存接口芯片全球市场规模 13 图 26:澜起员工构成以研发为主(2018 年) 14 图 27:澜起员工受教育程度较高(2018 年) 14 表 1:IPO 前后股权结构变化 8 表 2:不同内存产品技术要求 13 表 3:本次公开募集资金使用安排(万元) 14 表 4:可比公司估值比较(市值、净资产、营收、净利润单位为亿元) 15 澜起科技:全球领先的内存接口设计厂商 深耕内存接口芯片十年,技术优势行业领先 澜起科技创办于2004年,创办初期主要从事数字电视机盒芯片(成都澜至)和 高端计算机的内存缓存芯片(本次上市主体)。公司成立初便被技术市场和资本市场看好,获得全球最大半导体厂商Intel的青睐和投资。行业认证严苛,澜起科技深耕十年终业务开花。内存缓冲芯片进入主流市场需要通过服务器处理器厂商、内存 提供商、服务器厂商三重认证,澜起自2005年首款DDR2内存缓冲芯片,但在2010 年DDR3服务内存芯片才完全通过全部认证,逐渐量产实现盈利,2013年DDR4服务内存缓冲芯片,第一个获得Intel认证,实现行业内的领先地位。 图1:澜起科技发展历史 200420052006 2004 2005 2006 2010 2013 2016  世 界 颗 0.13um CMOS工艺DVB-C 数字有线解调芯片  推出DDR4 产品并第一个获得Intel认证 推出首款DDR2 服务器内存缓存芯片 推出DDR3产品并通过全部认证 与清华、Intel联手研发研发新型通用CPU-津逮 数据来源:与非网, 公司的主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案,目前主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。目前澜起科技为全球重要的内存接口芯片设计厂商,深耕该领域十多年,可提供从DDR2到DDR4内存全缓存/半缓存完整解决方案,其中公司发明的DDR4全缓冲“1+9”架构被采纳为国际标准(一颗寄存器时钟驱动芯片(RCD芯片)搭配9颗数据缓冲芯片(DB 芯片)),公司产品已成功进入国际主流内存、服务

您可能关注的文档

文档评论(0)

535600147 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:6010104234000003

1亿VIP精品文档

相关文档