SrTiO3基高储能介质陶瓷的制备及电学改性研究.pdf

摘要 摘 要 介质电容器因具有较高的功率密度，能快速地从间歇性新能源中捕获能量， 有望在新能源电源系统中大规模应用。但是，储能密度低的问题限制了它的发 展。因此，提高介质电容器的储能密度，研发具有高介电常数和高击穿电场的储 能电介质成为当今介电领域的热点研究课题。钛酸锶（SrTiO ）作为一种典型的 3 量子顺电体，因具有高的介电常数、较低的介电损耗以及理论上高达 1600 kV/mm 的击穿电场成为本论文的研究对象。但是，目前实验上制备的 SrTiO3 陶 瓷的击穿电场大都小于 30 kV/mm 。为了提高击穿强度，本文将具有良好绝缘性 能和低烧结温度的 Zn2 SnO4 作为添加剂，引入到 SrTiO3 陶瓷中，并采用传统固 相法制备SrTiO3+x mol% Zn2SnO4 陶瓷样品，以期获得介电常数保持不变，击穿 电场大幅提高的SrTiO3 基陶瓷。利用 X 射线衍射（XRD ）、扫描电镜（SEM ） 和阻抗分析仪等测试技术，研究了 Zn2SnO4 掺杂对 SrTiO3 陶瓷微观结构和储能 性能的影响。对出现的高温介电弛豫现象进行了深入的探讨，并通过充氧实验和 XPS 能谱分析对可能是氧空位的迁移引起介电弛豫的猜想进行实验验证。主要 研究成果如下： （1）Zn2 SnO4 掺杂可将SrTiO3 陶瓷的烧结温度从1400 ℃降低至 1200 ℃。 掺杂量x ≤2 mol% 时，样品的室温介电常数几乎不变；进一步增加掺杂量，介电 常数降低。随着掺杂量的增加，SrTiO3 陶瓷的击穿电场和储能密度呈现先增大而 后减小的趋势。当 Zn2 SnO4 掺杂量为 2 mol% 时，样品具有最大的击穿电场 250 3 kV/cm 和最高的储能密度 1.06 J/cm 。相较于未经掺杂的SrTiO3 陶瓷，储能密度 提高 1.8 倍。为进一步研究储能密度提高的原因，测得样品的阻抗谱，对样品进 行电学结构分析。深入研究表明，由于烧结温度降低，SrTiO3 陶瓷的平均晶粒尺 寸从5.5 μm 降低至0.8 μm 左右，增加了晶界的相对含量，从而提高了材料的绝 缘性能，增强了 SrTiO3 陶瓷的击穿强度，并最终导致 SrTiO3 陶瓷的储能密度得 以提高。 （2 ）SrTiO3 作为一种典型的量子顺电体，其电学性质和晶体结构、内部缺 陷紧密相关。因此，本文研究了SrTiO3+x mol% Zn2SnO4 陶瓷样品的高温介电性 能，并对引起介电弛豫的极化机制进行实验验证。在样品的温度谱中，随着测试 温度的升高，各组分样品出现明显的介电弛豫行为。经 Arrhenius 拟合，得到样 品的激活能分别为0.84 eV 、0.96 eV 、0.95 eV 、0.94 eV 和0.91 eV ，接近氧空位 的激活能1.0 eV。为验证样品的介电弛豫是由氧空位的迁移引起的，将各组分样 品进行充氧处理，然后再次测试其介电温度谱。纯 SrTiO3 陶瓷样品经充氧处理 I 摘要 后，介电损耗峰下降，说明充氧处理后样品的弛豫单元下降，进而证明样品的介 电弛豫行为和氧空位密切相关，最后得出结论：SrTiO3 陶瓷的介电弛豫行为确实 源自于氧空位迁移。但是，经充氧处理后，Zn SnO4 掺杂样品的介电损耗峰没有 2 上升，这说明样品的介电弛豫行为无法用氧空位的迁移