临床辐射剂量学：电离室测量吸收剂量的原理.pptVIP

胶片灵敏度（S）是指特定的光学密度与所接受的照射量或组织替代材料吸收剂量的比值。对于同一型号的胶片，其灵敏度与射线能量、射线入射角度、照射剂量、洗片条件以及胶片的批号等因素有关，与照射剂量率无关。对于X（γ）射线，当满足电子平衡条件时，胶片灵敏度正比于胶片与水的质能吸收系数的比值。 胶片在剂量学中的应用主要有三个方面： （1）检查射野的平坦度和对称性； （2）获取临床常用剂量学数据，如高能 X（γ）射线的离轴比、电子束的百分深度剂量和离轴比； （3）验证剂量分布，如相邻射野间剂量分布的均匀性、治疗计划系统剂量计算的精确度。 测量时应保持胶片与模体紧密贴合，以免空气间隙造成不规则的花斑和条纹；如果胶片放置于射野中心轴层面内，应保证胶片边缘与模体边缘齐。 与其他类型剂量仪相比，胶片剂量仪的优点是： （1）同时测量一个平面内所有点剂量，可以减少照射时间和测量时间； （2）有很高的空间分辨率；可以测量不均匀固体介质中的剂量分布。 但由于银卤化物胶片灵敏度显著地受X（γ）射线能量和洗片条件的影响，也限制了它的应用。近年来，一种名为GAF Chromic的新型胶片引起广泛的研究兴趣。它不采用溴化银作为感光剂，具有较好的组织等效性，并且不需要暗室操作，不需要显影、定影，因此这种新型胶片可以克服银卤化物胶片的缺点。但这种胶片也存在一些缺陷，如灵敏度受环境温度和湿度的影响，同一张胶片不同位置的灵敏度差别较大。 五、半导体剂量仪 半导体剂量仪使用的探测器实际上是一种特殊的PN型二极管。通过特殊的制作工艺把P型晶体和N型晶体结合起来，则在结合面（界面）两边的一个小区域里，即PN结区，N型晶体一侧由于电子向P型晶体扩散而显正电，P型晶体一侧由于空穴向N型晶体扩散而显负电。 界面附近呈现的正、负电性统称空间电荷，由于这种空间电荷的存在，就在界面两边很小的PN结区域里形成静电场和电位差。当这种探测器受到电离辐射照射时，会产生新的载流子－电子和空穴对，在电场作用下，它们很快分离开分别被“拉”到正极和负极，形成脉冲信号。因此，有的学者将半导体探测器称为“固体电离室”。 当前，硅晶体半导体探测器，主要用于测量高能X（γ）射线和电子束的相对剂量。 测量高能X（γ）射线：与空气电离室相比较，具有极高的灵敏度。半导体探头可以做得非常小（0.3～0.7mm3)。常用于测量剂量梯度比较大的区域，如剂量建成区、半影区的剂量分布和用于小野剂量分布的测量；用于患者治疗过程中的剂量监测。 测量电子束的剂量：由于硅与水的质量阻止本领之比基本不随电子束的能量而变化，使其有独特的优点，它可直接以深度电离曲线表示百分深度剂量曲线。同时在小照射野条件下，应用半导体探头测量较低能量的电于束剂量分布，也优于平行板电离室，这主要是后者对较低能量电子束较高的侧向散射反应不灵敏。 半导体探测器在实际使用中受到的限制： （1）由于硅的原子序数（Z=14）比水的有效值高，对中低能X射线(200kev以下)的反应截面大，这样在大照射野的边缘或较大的深度处测量等剂量分布，会受到一定的影响，为克服这一缺陷，往往在探头的侧面及底部增加一层屏蔽材料，起滤过低能光子的作用。不过这样做会导致半导体探头的方向性效应的变化。 （2）由于热效应的影响，半导体探测器即使工作在无偏压状态，也会产生“暗”电流，这一现象在低剂量率辐射场中较为明显。这种效应对N型半导体探测器的影响比对P型半导体探测器的影响要大，这也是在放射治疗中常选用P型半导体探测器作患者治疗中剂量测量的主要原因之一。 （3）辐射损伤的影响。高能辐射轰击硅晶体，会使晶格发生畸变，导致探头受损，灵敏度下降。对于给定的探头，受损程度依赖于辐射类型和受照历史，如20MeV电子束对探头的损伤要比8MV X射线的损伤大20倍左右。 （4）半导体探测器的灵敏度还受到环境温度、照射野大小以及脉冲式电离辐射场中的剂量率的影响。对于每一个具体的探头，其数值也有较大的差异。 因此，在实际使用中，对每一个半导体探头，都应做上述诸多因素的修正，并定期校验。 小结： 1、量热法、化学剂量计 （了解原理） 2、热释光剂量计、胶片剂量计、半导体剂量计 （了解原理、掌握优缺点及应用情况） §2 电离室测量吸收剂量的原理 确定吸收剂量的主要和常用方法：用剂量计测量 在介质内设一个充气空腔。如果知道空腔内的带电粒子注量与空腔周围介质中的带电粒子注量之间的关系，就可以由空腔内的电离电荷来确定介质中的吸收剂量。在一般情况下是将辐射敏感元件置于介质内，根据敏感元件提供的特定信息确定介质的吸收剂量。