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试卷标题
二极管测试
试卷满分
100
单选题
分数
50
题型数量
10
题型说明
只有一个选项正确,多选少选不得分
试题类型
单选题
题目
在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是 ( )
分值
5
难易度
中
正确答案
D
A
NPN管的发射极
B
NPN管的基极
C
PNP管的集电极
D
PNP管的发射极
答案解析
试题类型
单选题
题目
NPN型硅管在饱和状态中的特点是 ( )
分值
5
难易度
易
正确答案
B
A
IC=βIB
B
UCE=0V
C
UBE0
D
IC=0
答案解析
A为放大,CD为截止
试题类型
单选题
题目
用直流电压表测量菜放大电路中的一只NPN型晶体三极管,各电极对地的电位是:U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,则该晶体三极管各脚的名称是 ( )。
分值
5
难易度
中
正确答案
B
A
1脚为E,2脚为B,3脚为C
B
1脚为E,2脚为C,3脚为B
C
1脚为B,2脚为E,3脚为C
D
1脚为B,2脚为C,3脚为E
答案解析
解析内容
试题类型
单选题
题目
当晶体三极管的两个PN结都正偏时,则晶体三极管处于( )
分值
5
难易度
中
正确答案
B
A
截止
B
饱和
C
放大
答案解析
试题类型
单选题
题目
NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管(???? )。??
分值
5
难易度
中
正确答案
C
A
基极电流不变?
B
基极电流减小
C
集电极对发射极电压VCE下降
D
集电极对发射极电压VCE上升
答案解析
解析内容
试题类型
单选题
题目
晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将( )。
分值
5
难易度
中
正确答案
C
A
随基极电流的增加而增加
B
随基极电流的增加而减小
C
与基极电流变化无关,只决定于Uce
D
以上都不是
答案解析
试题类型
单选题
题目
PNP型三极管处于放大状态时,各极电位关系是( )
分值
5
难易度
中
正确答案
D
A
VcVbVe
B
VbVcVe
C
VeVcVb
D
VeVbVc
答案解析
解析内容
试题类型
单选题
题目
在放大电路中,测得晶体管的三个电极电位分别为2V,8.7V,9V,则可确定该管为( )
分值
5
难易度
中
正确答案
A
A
PNP硅管
B
PNP锗管
C
NPN硅管
D
NPN锗管
答案解析
解析内容
试题类型
单选题
题目
对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( )
分值
5
易
中
正确答案
C
A
三极管可以把小电流放大成大电流
B
三极管可以把小电压放大成大电压
C
三极管可用较小的电流控制较大的电流
答案解析
解析内容
试题类型
单选题
题目
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小,说明该管( )
分值
5
难易度
中
正确答案
A
A
二个PN结均击穿
B
发射结击穿,集电结正常
C
二个PN结均开路
答案解析
填空题
分数
50
题型数量
10
题型说明
按照要求写答案,计算机识别比较“单一”
试题类型
填空题
题目
晶体三极管的电流放大作用,是通过改变(__)电流来控制(__)电流的,其实质是以(__)电流控制(__)电流。
分值
5
难易度
易
1
基极
2
集电极
3
小
4
大
答案解析
试题类型
填空题
题目
用万用表测得某放大电路三极管在两个不同的静态工作点下的两组数据:IE=3.06mA时,IC=3mA;IE=2.04mA时,IC=2mA,则β=(__)。
分值
5
难易度
中
1
50
答案解析
解析内容
试题类型
填空题
题目
硅晶体三极管的饱和电压降为(__),锗晶体三极管的饱和电压降为(__)。
分值
5
难易度
中
1
0.3
2
0.1
答案解析
试题类型
填空题
题目
硅晶体三极管发射结的导通电压约为(__),锗晶体三极管发射结的导通电压约为(__)。
分值
5
难易度
中
1
0.7
2
0.3
答案解析
试题类型
填空题
题目
晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大,由于硅三极管的穿透电流比锗三极管(__),所以硅三极管的(__)比锗三极管好。
分值
5
难易度
中
1
小
2
热稳定性
答案解析
试题类型
填空题
题目
NPN型晶体三极管的发射区是(__)型半导体,集电区是(__)型半导体,基区是 型半导体。
分值
5
难易度
中
1
N
2
P
3
N
答案解析
试题类型
填空题
题目
已知某晶体管的PCM=250mw,如果IC=20mA,则UCE不允许超过(__)V。
分值
5
难易度
中
1
12.5
答案解析
解析内容
试题类型
填空题
题目
设晶体管的管压降UCE不变,基极电流
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