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一种多参量微纳集成传感器的设计 0 集成传感器芯片的研究 传统的传感器只能测量单个变量。当需要测量多个物理变量时，需要几个传感器。这不仅会使系统体积较大，还会增加系统复杂性，降低系统成本，并在应用上受到一定的限制。将不同类型的传感器进行集成可以有效减小测量系统的体积和质量, 易于实现批量制造降低生产成本。因此, 国内外学者对集成传感器芯片进行了大量的研究。M.Vaiana等人 彭韶华等人 温度和振动信号是两个常见的被测参量, 是反映煤机设备工作状态的主要参数 本文针对煤机设备工作状态监测系统对测量传感器的要求, 研制了基于MEMS技术的压阻式振动传感器与铂电阻温度传感器的集成传感器, 设计了加工工艺流程, 并对加工的集成芯片进行了测试。 1 传感器的结构参数 振动传感器从工作原理上可分为压电式、压阻式和电容式等 多参量微纳集成传感器设计方案如图1所示, 振动传感器由一个惯性质量块、八个梁和一个“回”字形边框组成。质量块和边框对应的边通过两个平行梁相连, 在梁的两端通过离子注入得到压敏电阻, 压敏电阻的两个端口对应的焊盘均匀分布在边框上。传感器质量块与下盖板之间有一定的空气间隙, 起到调节空气阻尼和抗过载的作用。 传感器的灵敏度和固有频率是其重要的性能指标。在仿真时用最大应力表示传感器的灵敏度, 传感器结构参数对其性能的影响如图2所示。增加梁的长度、减小梁的宽度和厚度能够增加传感器的灵敏度, 但是不利于减小传感器的体积与提高固有频率。梁长度的改变对灵敏度的影响较小而对固有频率的影响较大, 在一定条件下可以通过增加梁的长度来提高固有频率, 且对灵敏度的影响很小。增加梁的宽度可以提高固有频率和抗横向耦合性, 但会导致灵敏度下降。梁的厚度对传感器的灵敏度和固有频率的影响最大, 是传感器设计的关键参数。综合考虑各个因素, 最终确定传感器的几何尺寸如表1所示。 为了避免铂电阻的阻值太低, 铂电阻的宽度一般很小, 但是考虑到MEMS工艺的加工能力, 本文设计的铂电阻宽度为20μm。由于铂在20°C时电阻率为2.22×10 2 衬底层、埋氧层和集成晶圆片加工工艺 传感器加工采用的晶圆为4英寸 (1英寸=2.54 cm) SOI片。器件层为n型、晶向为100、厚度为15μm、电阻率为3~5Ω·cm;衬底层厚度为 (380±3) μm, 晶向为100, 电阻率为3~5Ω·cm;埋氧层的厚度为0.5μm。 以单个传感器的剖面结构为例, 具体的加工工艺流程 (图4) 如下: (1) 对SOI片进行标准清洗, 并在氧化扩散炉中进行氧化; (2) 刻蚀器件层有源区域 (梁和质量块的矩形区域) 氧化层和对准标记; (3) 进行离子注入形成压敏电阻条并进行退火处理, 离子注入的剂量为4.0×10 3 综合传感器性能测试 3.1 振动台测量实验 使用半导体分析仪KEITHLEY4200-SCS测得压敏电阻的I-V特性曲线如图6 (a) 所示, 从图中可以得到压敏电阻的阻值为2 300Ω。对同一个晶圆上的若干个压敏电阻测得阻值如图6 (b) 所示, 其平均值为2 311Ω, 标准方差为17Ω。测量结果表明此次加工的传感器具有较好的一致性。对集成传感器振动性能的测试现场如图7所示, 使用的测量系统为振动冲击传感器标定系统BK3629, 待测试传感器固定在振动台上并与136电路模块相连接, 136电路模块不仅可以为传感器提供5 V的电压, 还可以将差分信号进行放大, 实验中放大倍数为40倍。放大后的信号输入系统的电脑利用预置程序对数据进行分析, 得到测试结果和报告。 测量时改变振动台的振动频率, 振动台输出加速度的大小以频率为160 Hz时的输出为参考。振动台不同输出频率时传感器的灵敏度测量结果如表2所示。以160 Hz处的灵敏度为参考值, 将传感器的灵敏度进行归一化处理, 得到幅频特性曲线如图8 (a) 所示, 传感器的相频特性曲线如图8 (b) 所示。 对振动传感器的线性度进行测量时, 振动台输出振动信号的频率为160 Hz, 不同振动幅值下测得的传感器灵敏度如表3所示, 计算可得其灵敏度幅值线性度为-0.33%。 3.2 ght阻阻测器 温度传感器的测量原理如图9所示, 将传感器置于高低温快速温度变化湿热实验箱 (SDJS701B) 中, 用一个恒流源 (B2961A, KEYSIGHT) 为铂电阻温度传感器提供5 mA的恒定电流, 同时可以测量负载的阻值, 用一个高精度万用表 (34401A, Agilent) 与恒流源并联测量传感器的输出电压。 实验箱内温度从-20℃增加到80℃, 每次增加5℃, 待温度稳定时读取电阻和电压值。不同温度时测得的铂电阻阻值和输出电压分别如图10 (a) 和 (b) 所示。通过对测量数据进行拟合得到传感器的电阻 (R 所以传