晶圆级封装的热机械失效分析.docxVIP

晶圆级封装的热机械失效分析 1 用于焊球底部金属化的封装层级 低光刻制造意图是降低芯片的制造成本，实现芯片的数量少、性能好的芯片。晶圆级封装方案是将裸片直接焊接在主板上。双层电介质、RDL (Re Distribution Layer, 重新布线层) 、UBM (可焊接薄层, 用于焊球底部金属化) 和焊球都位于标准BEo L栈之上。因此, 这些层级扩展了传统晶片制程 (多层沉积薄膜配合光刻工艺) 范围。晶圆级封装的焊球工艺与倒装片封装非常相似。 晶圆级封装主要分为扇入型封装和扇出型封装 (图1) 两种。扇入型封装是在晶圆片未切割前完成封装工序, 即先封装后切割。因此, 裸片封装后与裸片本身的尺寸相同 (见图2[A]) 。扇出型封装是先在人造模压晶圆片上重构每颗裸片, “新”晶圆片是加工RDL布线层的基板, 然后按照普通扇入型晶圆级封装后工序, 完成最后的封装流程 (见图2[B]) 这里需要说明的是, 为提高晶圆级封装的可靠性, 目前存在多种焊球装配工艺, 其中包括氮化物层上焊球 下面重点介绍晶圆级封装特有的热机械失效现象。 2 裸片封装失效模式 本文主要分析了发生在BEo L层远端 (FarBEo L) 和BEo L层的热失效问题。焊球疲劳等与裸片封装相关的失效模式不在本文讨论范围, 想了解更信息, 请查阅相关资料, 例如本文后面的文献[9]。我们先用BEo L层大面积离层实验图解释裸片边缘敏感性问题, 然后讨论焊球附近区域是BEo L远端层破裂的关键位置。 扇出型扇入型封装解决方案 扇入型标准封装裸片是直接暴露于空气中 (裸片周围无模压复合物) , 人们担心这种封装非常容易受到外部风险的影响, 故优化晶片切割工艺是降低失效风险的首要措施。为防止破裂在封装工序和/或可靠性测试过程中曼延, 必须控制切割工序在裸片边缘产生的裂缝 (图4[A]) 。此外, 这种封装技术的聚合物层末端靠近裸片边缘, 因为热膨胀系数 (CTE) 失匹, 这个区域会出现附加的残余应力。 为预防这些问题发生, 最新技术提出有侧壁的扇入型封装解决方案。具体做法是, 采用与扇出型封装相同的制程, 给裸片加一保护层 (几十微米厚) , 将其完全封闭起来, 封装大小不变, 只是增加了一个机械保护罩。 但是, 树脂、聚合物层和裸片边缘相互作用, 致使扇出型封装的失效风险增加 (图4[B]) 。 在这种情况下, 密封环结构是一个有效的压制应力的方法。作为BEo L层的一部分, 密封环是围绕在裸片四周的金属图案, 具有防护作用, 避免化学污染和裂缝曼延, 然而这个结构不足以预防所有的失效问题, 所以, 必须从以下两方面进行优化考虑: 致聚合物层破裂 (1) 晶圆级封装的焊球可以装配在BEo L层上面。钝化层、UBM层和焊球组件具有不同的热膨胀系数, 这会在聚合物层上产生应力, 在某些极端情况下, 甚至还会导致聚合物层破裂, 并有可能最终曼延到BEo L栈。 (2) BEo L的最上层是钝化层, 是由氧化物层和氮化物层组成, 前者是化学污染保护层, 后者则用于预防机械应力。如果钝化层受损, 裸片就会受到各种形式的污染, 导致电气失效。因此, 必须精心设计BEo L远端层 (RDL、焊球和聚合物) 。RDL层的密度及其布线需要分布均匀。聚合物及其沉积方法的选择对于器件的可靠性也很重要。图5描述了某些典型缺陷。 解决这些问题需要我们深入了解相关结构和专用的优化方法。 3 有限元法的数值分析 本文重点介绍扇入型封装配置。需要说明的是, 某些分析结果同样适用于扇出型封装解决方案 (例如, 焊球附近结构) 。 材料模型的建立 我们使用Ansys的商用软件进行了有限元法分析。第一步是创建一个3D封装模型, 以了解WLP封装的应力分布区域。我们探讨了焊球附近和裸片边缘附件的应力分布情况。出于对称性考虑, 只描述封装的四分之一 (图6) 。 第二步是简化BEo L层和聚合物层的建模, 用一个20D模型进一步探讨各层之间的相互作用 (图7) 。这个栈包括四个顶层共行覆膜的金属层和一个标准的密封环结构。为避免数值错误, 所有配置均保持网格不变, 并根据结果分析材料性质。 我们对两个模型都施加了225℃至25℃的热负载, 模拟回流焊工序, 并做了一个线弹性分析。 应力与封装的相互作用 我们可以考虑独立封装 (图6[A]) 和安装在主板上的封装 (图6[B]) 两种封装工艺。本文主要讨论前者, 让读者初步了解WLCSP封装的特异性。 BEo L层应力如图8所示。在这样一个配置中, 因为焊球和外围器件的热膨胀系数失匹, 每个焊接区都会发生类似的应力问题。此外, 在裸片外围可以看到聚合物层边缘的影响 (见图8中的箭头) 。因此, 我们已开始认识到聚合物、焊球和裸片边缘的相互作用。需要指出的是,