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电子捕获光存储技术的新进展 随着信息技术的快速发展和信息设备的快速更新，不同的信息载体对其存储功能和存储功能提出了更高的要求。为适应时代的发展, 信息载体不仅要求其记忆材料具有信息储存量大、高存储密度的功能, 而且还要其具有高数据传输率、高存储寿命、高的擦写次数及很高的重复操作性。就拿迅速发展的计算机技术来说, 电子俘获光存储技术当属发展潜力最大的信息存储技术。 1 典型的电子光存储材料 1.1 光激励光照机理 以Ba FBr为代表, 常用于X射线或紫外光影像存储。读出光波长在400~700 nm之间, 读出发光为380~400nm之间的蓝紫色发光。该种材料为研究最早、具有最强实用化程度的电子俘获材料之一, 其光激励发光机理的研究, 奠定了电子俘获光存储机理研究的基础。 目前Ba FX:Eu2+(X=C1, Br) 的光激励发光机理的模型主要有以下几类:其一, 以日本Takahashi K为代表的导带复合模型;其二, 以德国von Seggern H为代表的隧穿模型;其三, 近年新提出的导带隧穿并行模型。 1.2 电子陷阱离化和复合 例如Sr S:Eu, Sm等。该类材料的写入光波长在紫外或蓝光区, 读出光在近红外区域, 读出发光波长范围从绿光到红光。除了用于光信息存储外, 该材料还广泛应用于光信息处理中。 对于Sr S:Eu2+, Sm3+的电子俘获机理, 一般认为:Eu2+是发光中心, Sm3+是电子陷阱, 在写入读出时分别产生如下离化、复合或俘获过程:Eu2+~Eu3++e, Sm3++e~Sm2+, 但新的研究发现将Sm3+独立地作为电子陷阱仍存在问题。最新的发光机理研究表明, 杂质引起的缺陷而不是杂质本身承担电子俘获中心或空穴俘获中心, 离子杂质的价态在激发后的光存储状态下没有发生改变。光激励吸收带以外的波长范围的Sm3+吸收峰 (6H5/2-6 F1/2, 3/2) 没有发生变化, 由此Sm3+离子在激发前后的价态和数量并没有发生变化, 即Sm3+在激发后没有因为电子俘获或空穴俘获转变为Sm2+或Sm4+。 研究表明, 共掺杂时, Eu2+离子的束缚空穴能力远大于Sm3+离子;Sm3+离子的作用就是与俘获中心组成为复合体陷阱并影响陷阱能级的深度, 使陷阱在室温下能稳定地存储电子。一些过渡元素离子或稀土离子也有这个作用, 如Mn、La。 1.3 新型活性染料 典型的有KC1:Eu、Cs Br:Eu等。其写入波长为X射线或紫外光, 读出光波长范围从绿光到红光, 读出发光波长范围从蓝光到绿光。该类型为新兴的一类电子俘获存储材料, 一般具有较深的陷阱, 读出衰减较慢。 在材料改进方面, 新研究的KCl:Eu, KBr:Eu, Na Cl:Cu等的紫外 (X射线) 存储, 具有相对较缓慢的读出衰减, 可更好地弥补Ba FB:的较快衰减特性。这类材料虽然容易制备成单晶, 但是掺杂后易潮解, 部分材料还可能具有放射性, 不利于民用。而且部分材料的有效原子系数小, 不利于做高能射线存储, 也限制了使用范围。另外在此类材料中发现的光激励发光衰减慢的原因尚未得到很好的解释, 深陷阱不易擦除 (或存储信息残留) 对反复使用也不利。 1.4 氟氧化物玻璃陶瓷 玻璃陶瓷材料为近年来最新投入研究的电子俘获光存储材料。已有报道用于电子俘获的玻璃陶瓷材料有硼酸盐玻璃陶瓷、氟铝酸盐玻璃陶瓷和氟锆酸盐玻璃陶瓷等。氟氧化物玻璃陶瓷的研究目前正在进行中。玻璃陶瓷的结构是以玻璃作为基质, 镶嵌有若干掺有稀土发光中心的微晶。由于玻璃陶瓷材料均匀且各向同性, 不存在双折射及光散射现象, 因此能得到更高的空间分辨率。众所周知, 玻璃陶瓷经过高温烧结, 性质稳定, 易于存放和加工, 以此为基质, 又可克服以往电子俘获材料稳定性不好的缺点。 最近研究的氟氧化物玻璃陶瓷在化学稳定性、机械度、激光损伤敏值等指标上都有明显的优越性, 而且易制成各种形状。它虽然在宏观上获得了光激励发光, 但是有关光激励发光的来源, 以及相关的电子、空穴俘获中心的位置和存在方式, 存储能量的传递等仍然是有待研究解决的问题。 2 电子受害者光存储的改变 电子俘获是一种光激励发光现象。光激励发光是指材料受到辐照时, 产生的自由电子和空穴被俘获在晶体内部的陷阱中, 从而将辐照能量存储起来, 当受到光激励时 (波长比辐照光长) , 这些电子和空穴脱离陷阱而复合发光。因而这种材料被形象地称为“电子浮获材料”。电子俘获光存储写入与读出的简单原理, 如图1所示。 当用写入光辐照时, 材料中产生大量的电子和空穴, 这些电子和空穴被俘获在晶体内部的陷阱中, 从而将辐射能量存储起来。当受到光激励时 (即读出光, 能量小于写入光) , 陷阱中的载流子 (电子和空穴) 脱离陷阱而与发光中心复合发光。图1中, 过程