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现代陶瓷材料的发展趋势 1 信息领域中光子学的应用和发展 信息技术主要指信息访问、信息传输、信息存储、信息显示和数据处理的技术。在20世纪下半叶,这些方面得到了巨大发展,计算机已从一个单纯的计算工具发展成为一种能高速处理一切数字、符号、文字、语音、图像以至知识等的强大系统。其应用范围已覆盖了社会的各个方面。计算机科学技术已成为人类社会巨大的生产力。计算机、网络和通信结合以后,信息技术对人们的生产、生活方式产生了深刻的影响。我们的社会已进入了以信息技术应用为标志的信息时代。 20世纪以来,信息技术依托电子学和微电子学技术迅速发展起来,如通信从长波到微波、存储从磁芯到半导体集成、运算器从电子管到大规模集成电路等等。故目前的信息技术是电子信息技术。 随着信息技术的发展,电子信息技术的局限性将愈来愈明显。由于光子的速度比电子的速度快的多,光的频率比无线电的频率高的多,所以为提高信息传输速度和载波密度,信息的载体必然由电子发展到光子。计算机也将由目前的电子计算机发展到光子计算机,甚至量子计算机。目前,信息的探测、传输、存储、显示、运算和处理已由光子和电子共同参与和完成,光电子学已应用到信息领域。光子技术在未来的信息领域中可能占主导地位,我们更应注意光子学技术的发展。如美国把电子和光子材料、微电子学和光电子学列为国家关键技术,认为:光子学在国家安全与经济竞争方面有着深远的意义和潜力,通信及计算机的研究和发展属于光子学领域。从电子学到光子学是跨世纪的发展。所以,微电子材料是最重要的信息材料,光电子材料是发展最快的和最有前途的信息材料。 2 主要信息和材料的发展趋势 2.1 绝缘层用硅材料 以硅材料为核心的大规模集成电路在过去的40年里发展迅速,在21世纪,它仍然是电子计算机的核心技术,其统治地位不会动摇。自1958年问世以来,依靠光刻线宽缩小和成品率的提高,硅集成电路器件的集成度提高了约100万倍,同时,单晶硅片的尺寸增大和质量提高也起了主要作用。 21世纪将迎来深亚微米(0.1μm)硅微电子技术。器件的最小沟道长度将缩小到30~50nm,栅氧化层厚度减止2nm。此时会有强场效应、绝缘氧化物量子隧穿、沟道参杂原子统计涨落、互联时间常数与功耗和光刻技术等问题出现。硅微电子技术将到其极限。 小于0.1μm的线条属于纳米范畴。纳米电子器件可按电子在固体中受限制的具体情况分为:量子点器件(人造原子)、共振隧穿器件和单电子器件(基于库仑阻塞效应)。其尺寸都在5~50nm。 制作固体量子器件采用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,原因是它们易获得高晶体质量、原子级平滑界面和高的电子迁移率,如GaN、AlN、InN及其合金体系。其中:GeSi/Si材料已研制成功,且走向实用化,异质结构的GeSi/Si可以获得速度更好的器件。为发展硅基纳米电子器件和电路提供了一个很好的基础。GaN材料是很有发展前途的、耐高温的(300℃)和适应恶劣工作环境的优质半导体材料。 1998年出现了绝缘层用硅材料SOI(Silicon on Insulator),推动了微电子技术的进一步发展。它避免了器件与衬底间的寄生效应,具有高的开关速度、高的密度、抗辐射、无闭锁效应等优点。能使芯片的性能提高35%。因此,世界各国都在大力发展SOI材料的制作技术。绝缘层用硅材料SOI的种类很多,目前使用比较广泛和比较有前途的主要有通过注氧隔离的SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)材料和键合再减薄的BESOI材料和将键合与注入相结合的Smart Cut SOI材料。SIMOX适合于制作薄膜全耗尽超大规模集成电路,BESOI材料适合于制作薄膜部分耗尽大规模集成电路,而Smart Cut SOI材料则是今后非常有发展前途的SOI材料。 栅绝缘介质要求MOSFET的栅绝缘介质层具有缺陷少、漏电流少、抗击穿强度高、稳定性好、与Si有良好的界面特征和界面密度低等特点。SiO2和SiNxOy目前仍是主流材料,目前研究较多的其它材料有:Ta2O5\,TiO2、(Sr,Ba)TiO3\,Pb(Zr,Ti)O3\,SrBi2Ta2O9和Sn-Zr-TI-0等。 栅电极材料的基本要求是串联电阻低和寄生效应小。Al-多晶硅-难熔金属硅化物(Polyecide/Silicide)。Polycide/Silicide仍是目前被广泛采用的材料。正在开发研究的材料还有:GexSil-x、W/TiN等。 高介电常数的动态随机存储器(DRAN)材料。这类材料主要是一些氧化物铁电材料:(Sr,Ba)TiO3、Pb(Zr,Ti)O3、SrBi2Ta2O9等。其中(Sr,Ba)TiO3被认为是最具有潜力的材料之一。 非挥发性铁电存储器(NVFRAM)是一种新型非挥发性铁电随机存储器。它利用铁电材料具有的自