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深宽比刻蚀的研究进展 深度比率（毫米）是指槽深和槽宽之间的比率（对于圆形孔，就是孔深与孔的比率）。随着集成工艺和微(纳)系统技术的发展,器件本身的要求深宽比越来越大,比如微光学元件要有高的深宽比才能得到好的衍射效率。高深宽比的微结构技术(High aspect ratio micro-structure technology,简称HARMST)是制作先进微器件的关键技术,广泛使用于微光机电系统(MOEMS)、信息存储、光通讯、大功率器件和极紫外及软X射线光刻等诸多领域。 目前压模、电铸和刻蚀是制作深高宽比器件的主要方法。聚合物材料的深宽比结构常用压模的方法来制作,电铸则用于MEMS器件中金属材料的制作,而干法刻蚀以其良好的各向异性,高刻蚀速率,精确的深度和线宽控制以及与半导体产业的兼容性等一系列优点,广泛应用于Si和常用的半导体、光电材料的深宽比结构的制作中。深高宽比刻蚀所形成器件的应用主要有两个重要的方向,即MOEMS及微纳光电器件。表1给出了常用的材料及其应用。 本文对深高宽比的干法刻蚀工艺中涉及的常见效应、关键技术和检测等方面进行了综述。 1 深高宽比结构机理 反应离子刻蚀是制作深高宽比器件主要手段,与低高宽比(AR3∶1)器件的刻蚀不同,刻蚀作用的反应离子通量与抑止侧壁刻蚀的通量的比率很重要,高各项异性依靠反应离子在槽底表面的刻蚀和活性离子在侧壁的抑止作用相结合以保证获得深高宽比结构。 随着槽或孔刻蚀深度的增加,等离子体中的反应离子在其中的传输过程中接触刻蚀表面越来越困难,刻蚀表面反应的生成物也越来越难以从孔或槽里出来。所以与低深高宽比的刻蚀相比较,一般会出现刻蚀滞后(RIE Lag)、刻蚀停止(Etching stop)、侧壁弯曲(local bowing)和开槽效应(notching effect)等现象。 1.1 深宽比的影响 在反应离子刻蚀过程中,随着深宽比的增加,刻蚀速率降低。这样就会造成在同样的刻蚀条件和时间内,宽槽的刻蚀深度要大于窄槽的刻蚀深度(如图1所示),这一效应我们称为RIE Lag。产生这一效应的原因是由于深宽比造成:①刻蚀离子向刻蚀表面和逸出刻蚀表面的生产物等的输运困难;②离子和中性离子的遮蔽;③电场在刻蚀表面的分布变化;④表面扩散的困难。这一现象的产生影响了刻蚀进程,影响了理想的刻蚀深度的获得。因此,建立刻蚀速率与深宽比的关系曲线及拟和方程,对于准确控制刻蚀过程极为重要。 有关实验表明:低的压力可以减小它的影响程度,同时高能量的离子也可以减小它的作用。 1.2 其他碳氟聚合物 在许多反应离子刻蚀的过程中,所选等离子体气体多为氟或其他卤素的化合物。从等离子体区域引出大量的氟离子(F+),高能的氟离子易与基材发生反应,从而生成易挥发的化合物,随后由真空系统抽除。但与此同时,还伴随着其他一些副反应如一些碳氟聚合物,此类化合物不易挥发,也不会与反应离子反应,若不及时去除,就会沉积深孔或槽的底部形成一层难以刻蚀的聚合物薄膜,阻止刻蚀过程的进行, 甚至导致刻蚀中止。 目前,还没有什么好的方法来防止此类聚合物的产生,不过可以在刻蚀过程中用高能和方向性好的的其他离子(如Ar+)来轰击孔的底部,以去除在底部生成的难以刻蚀的聚合物。同时亦可以在反应过程当中掺入一定量比例的氧气(O2)或CO等氧化剂,其目的是让氧原子与碳氟聚合物发生反应,生成易挥发的碳和氟的化合物,减少底部的碳氟聚合物的沉积,以达到消除或减小Etching stop的发生。 1.3 实验结果分析 侧壁弯曲经常发生在紧贴掩模的基片侧壁上(如图2所示)。这一形象是由于:① 掩模侧壁低角度的离子散射;②等离子鞘层内由于中性离子造成的离子弯曲;③射入槽内的离子衍射引起的离子散射;④侧壁或掩模的放电产生的电场导致离子偏转等几方面因素共同作用产生。 实验表明:只有当刻蚀孔或槽的深度超过了一定极限时,才会产生侧壁弯曲。同时无论孔径或槽宽怎么变化,对于确定的实验参数,这一极限也是确定的。一般来说过大的射频功率不会明显增加刻蚀速率,因此用确定保持刻蚀速率恒定的最小功率,再增加功率就会改变孔的侧面形状,来消除侧壁弯曲现象。改变实验装置的偏压来达到实验的最佳参数是常用的方法。 1.4 “et”侧壁的形成机理 Notching effect现象发生在刻蚀材料(如Si)与绝缘层(如SiO2)交界面。当刻蚀过程进行到Si的底部时,反应的气体由于对绝缘层无明显的刻蚀作用,而对底部Si侧壁仍有一个很大的刻蚀速率,从而形成如图3那样形状的刻蚀侧面轮廓,即形成notching effect现象。它主要是由于在交界面处离子轨迹扭曲了电场分布,同时产生的notching effect又由于电荷在绝缘层的积累更促进开槽的展开。 为了得到深高宽比器件的良好的侧面轮廓,对于开槽效应的刻蚀过程