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增强光谱吸收硅表面双尺寸陷光结构的制备及表征 晶体硅表面纺织结构是提高晶体硅太阳电池转化效率的重要手段之一，尤其是通过碱溶液对晶体硅表面进行各向异性雕刻以获得金字塔的技术，广泛用于工业化生产，对太阳电池的发展做出了重要贡献。然而，结构氧化物的抗反射性并不理想。为了减少晶体硅表面的反射，一种称为黑硅的材料，由于其光谱吸收特性（光学分辨率超过95%，红外光吸收不到80%），被认为是开发信息探测器。它具有太阳电池高效利用的潜力价值。激光雕刻i、电刻蚀iii、反应离子雕刻iv-iii、金属纳米颗粒辅助水分化合物的雕刻，简单、经济、可靠，适合太阳电池用结晶硅表面活性剂的设计，具有良好的发展前景。在hf和ho混合溶液中添加金属丝作为催化剂，是金属辅助水分化合物最成熟的表面处理方法。金属纳米颗粒不仅可以通过添加hf和ho作为催化剂，还可以通过添加金属化合物作为支撑体，真空蒸发提高单晶硅表面的光谱吸收性能。 1 样品2的制备 本实验采用同批次直拉 (CZ) 单晶硅片, 电阻率为0.5~3Ω·cm, 样品尺寸为20×20mm.样品1制备流程如图1所示, 直接通过金纳米粒子辅助湿法化学刻蚀［１４］, 然后将其侵入硝酸 (HNO３) 水溶液［２０］中以去除表面膜状物, 获得黑硅.样品2制备流程如图2所示, 首先采用NaOH (wt 3%) /IPA (vol 6.5%) 溶液体系在80~82 ℃下, 腐蚀硅片30min制得金字塔绒面, 然后再通过金纳米粒子辅助湿法化学方法［１４］对绒面进一步刻蚀, 最后侵入HNO３水溶液［２０］去除表面膜状物, 以获得增强广谱吸收硅表面. 硅片反射率的测量采用紫外—可见—近红外分光光度计U-4100, 表面微结构形貌的观察采用扫描电子显微镜ZEISS表征. 2 结果与讨论 2.1 样品的吸收性测试 图3 给出了所有样品的数码照片:样品1 (左) , 样品2 (右) . 由图3可见, 样品1和样品2均呈现出暗黑色, 并且色泽都比较均匀.其中, 样品1是单纯采用金属辅助湿法化学方法制备的黑硅, 样品2是在金字塔绒布基础上采用金属辅助湿法化学方法制备的黑硅.为了研究样品在整个太阳光谱范围的吸收性能, 对其反射率进行表征. 2.2 样品的减反射特性 图4为样品表面反射率曲线, 其中点线 (样品1) 代表直接采用金属纳米粒子辅助湿法化学刻蚀制备的黑硅, 实线 (样品2) 代表增强广谱吸收硅表面. 由图4可以看出, 样品1和样品2在对整个太阳光谱区域均显示出了良好的减反射特性, 特别是样品2的减反射能力更为突出.这说明在金字塔绒面基础上通过金属辅助湿法化学刻蚀是非常有效的一种方法.接下来对不同样品在不同光谱区域的平均反射率作了计算, 给出了样品1与样品2在不同波段的平均反射率值. 不同样品在不同波段的平均反射率如表1所示. 由表1可以看出, 就整个太阳光谱, 样品2比样品1平均反射率低约2.5%, 对吸收限以内的光谱, 样品2比样品1平均反射率稍低, 对吸收限以外的光谱, 样品2 比样品1 平均反射率低约3%.因此, 样品2进一步增强了硅表面的广谱吸收性能.为了弄清样品2出色的吸收性能与其微观形貌之间的关系, 进一步对其微观结构进行了表征. 2.3 纳米级沸石结构 样品微结构形貌如图5 所示 (a代表样品1的断面图, b、c分别代表样品2 的断面图和局部顶视图) . 由图5可以看出, 样品2表面首先是分布许多微米级尺度的金字塔结构 (如图b所示) , 即金字塔结构在金属辅助湿法化学刻蚀后仍然存在, 差别在于金字塔表面经金属辅助湿法化学刻蚀后生长出许多纳米级尺度的小孔 (如图c所示) , 这些小孔如同样品1表面分布着柱体或小孔等纳米级尺度微结构 (如图a所示) 一样, 使样品2实现对纳米光子和微米光子的分级吸收.因此, 纳米/微米双尺寸结构比单独的金字塔微米级结构表面或者是单一孔洞状纳米级结构表面具有更强的光捕获能力. 3 纳米晶圆反射率 通过表面碱织构, 再采用金纳米粒子辅助湿法化学刻蚀晶体硅表面, 获得了在350~2 500nm波段平均反射率低于5.5%、具有纳米/微米双尺寸陷光结构的增强广谱吸收硅表面.