水热条件下碳纳米管表面修饰的研究.docxVIP

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水热条件下碳纳米管表面修饰的研究 碳纳米管表面修饰 自发现以来,碳纳米管的优良力学、力学和热学性能引起了人们的广泛关注。 在碳纳米管的应用研究过程中, 表面修饰逐渐成为一个新的研究课题, 通过碳纳米管的表面修饰可以增加它在结构复合材料中的分散性, 改良碳纳米管光学复合材料的发光特性, 制备基于碳纳米管的生物探针等。 碳纳米管的氧化在碳纳米管表面修饰过程中有相当重要的作用, 在氧化过程中引入的羟基、 羧基等官能团可以使碳纳米管进一步与其它化学试剂进行反应, 如: 用带有羧基的碳纳米管与胺基化合物反应得到的功能化碳纳米管可以用作化学纳米探针以及结构复合材料的添加剂等。 本文在水热条件下在不同的时间和温度下用各种氧化剂对碳纳米管进行了表面修饰, 并利用红外和X射线光电子能谱表征了氧化后样品的化学结构, 并用拉曼光谱研究了它的物理结构。 1 试验部分 1.1 红外光谱分析 试剂: 碳纳米管(深圳纳米港有限公司), 其他各种化学试剂均为分析纯。 仪器: 美国NICOLET公司NEXUS 470 Fourier变换红外光谱仪, KBr压片, 波数范围4 000~400 cm-1。 LabRam-1B Raman 光谱仪, 激光频率为632.8 nm (He-Ne laser)。 英国 VG 公司MicroLab MKⅡ型X射线光电子能谱仪 , 辐射能量Mg Ka(1 253.6 eV), X射线能量300 W。 1.2 碳纳米管的制备 在每次试验中, 将20 mg的碳纳米管和反应试剂充分搅拌后密封于水热反应釜中, 将反应釜置于恒温箱, 静置所需时间后快速冷却至室温。 所得样品用去离子水洗涤多次, 用孔径为200 nm的滤膜过滤, 50 ℃真空条件下烘干备用。 分别用3 mol·L-1稀硝酸, 0.1 mol·L-1高锰酸钾溶液, 30%双氧水与碳纳米管进行反应。 反应样品和条件列于表1中。 在稀硝酸氧化中, 对不同的反应时间, 温度进行了试验。 2 结果与讨论 2.1 稀羧酸氧化碳纳米管的表征 图1是用不同氧化剂处理碳纳米管的红外光谱。 未处理的碳纳米管有3个明显的峰, 分别在: 1 184, 1 574, 3 433 cm-1。 其中, 1 574 cm-1处的振动峰是碳纳米管管壁的E1u振动模, 它表明碳纳米管石墨结构的存在。 而3 433 cm-1处的峰对应于羟基的振动峰, 可能是在原始碳纳米管的提纯过程中引入了羟基。 1 184 cm-1处的峰没有明确的归属。 氧化后的碳纳米管都在1 720 cm-1附近出现一个新的峰, 它是羧基中CO的振动峰, 这表明在水热条件下, 各种氧化剂可以成功地修饰碳纳米管, 引入羧基这样的化学官能团。 比较各谱线中CO峰与1 574 cm-1峰的相对强度, 可以看出硝酸的氧化程度最高, 高锰酸钾次之, 双氧水最低。 在样品B12中2 918和2 844 cm-1处的双峰是亚甲基的振动峰, 这说明在水热处理中部分样品烷基化, 其形成原因有待进一步研究。 图2是稀硝酸中不同时间碳纳米管修饰的红外光谱图, 随着反应时间的增加, CO的峰发生了蓝移: 当反应时间为3, 6, 10 h时, 振动峰分别出现在1 714, 1 724, 1 736 cm-1处。 CO峰随着条件变化发生移动的现象也出现在其他试验中。 图3是不同温度下稀硝酸氧化碳纳米管的红外光谱, 在120 ℃下, CO峰出现在1 731 cm-1, 而其他条件相同时180 ℃下, 吸收峰出现在1 727 cm-1。 在碳纳米管氧化过程中, 羧基之间形成的氢键的变化是CO峰变化的主要原因。 当羧基数量增多时, 氢键更加活跃, 使得CO峰发生红移。 可见, CO峰的位置与羧基数量有紧密的联系。 而随着氧化条件的变化, CO峰的移动表明了羧基数量的变化。 所以, 在水热条件下, 可以比较容易地控制产物中官能团的数量。 2.2 碳纳米管上官能团数量的变化 图4和图5分别是样品H3和H6 XPS C1s谱, 用4个高斯曲线对这两条曲线进行了拟合。 高斯曲线的结合能分别在: 284.3±0.2, 285.0±0.2, 286.4±0.2和(289.5±0.2)eV。 其中, 284.3 eV对应于石墨结构中C的sp2杂化结构, 285.1 eV处的峰对应于C的sp3杂化结构。 而286.4和289.5 eV处的峰分别对应于C与1个和2个氧原子结合时的1s电子的结合能。 随着时间的增加, 以285.1 eV 为中心的组分百分比从21.37%增至29.42%, 它对应于C的sp3杂化结构增加, 这说明碳纳米管上官能团数量随着反应时间的增加而有所增加。 286.4 eV对应于C原子与一个氧原子结合时的结构(C原子与羟基的结合), 随着处理时间增加, 它的百分比从1

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