GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战.docxVIP

? ? GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战* ? ? 张彤，刘树强，何亮，成绍恒，李柳暗，敖金平 （1.枣庄学院人工智能学院，山东 枣庄 277160；2.工业和信息化部电子第五研究所，广州 510610；3.吉林大学超硬材料国家重点实验室，长春 130012；4.江南大学物联网工程学院，江苏 无锡 214122） 1 引言 功率电子器件（又称为电力电子器件）在发电、输电、变电、配电及用电过程中都发挥着重要的作用，目前约80%的电能经过功率电子电路进行转换或回收。功率电子电路的功率密度通常由无源组件（如电感和电容）的大小决定，通过增加开关频率可以大幅减少无源组件的储能需求而提升功率密度。当前主流的硅基功率器件最高电能转换效率约为90%、工作频率为MHz量级，且已经接近其材料理论极限。氮化镓（GaN）材料理论上能提供更高的开关频率和更高的电能转换效率，在保持合理开关损耗的同时可提升功率密度和瞬态性能，因此被越来越多地应用于面向快速充电、数据中心及激光雷达的高性能、紧凑型电源模块中[1]。功率电子电路例如功率变换器除了功率器件模块以外，通常还有栅驱动电路、保护电路、脉冲宽度调制信号发生器及反馈控制回路等外围子模块[2]。现有的混合集成方案中，GaN功率器件与其他外围电路之间的焊线和引线会引入寄生电感，在高频率开关过程中会导致开关损耗、振铃和可靠性问题。为了充分发挥GaN功率器件的潜能，将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是降低寄生参数的有效手段，也是GaN功率集成电路的重要发展方向。本文介绍了GaN基n沟道与p沟道增强型器件的发展历程以及互补型逻辑电路的研究进展，对GaN互补型逻辑电路面临的挑战进行了综述，并提出了潜在的解决方案。 2 互补型逻辑电路及其研究意义 传统的硅基功率电子电路中栅驱动的逻辑功能是通过互补金属-氧化物-半导体（CMOS）逻辑电路实现的，如图1（a）所示。CMOS逻辑电路由物理特性互补的p沟道MOS场效应晶体管（pMOS）和n沟道MOS场效应晶体管（nMOS）组成[3]。晶体管的互补特性造就了CMOS逻辑电路优异的性能：（1）用于多级电路的轨到轨输出电压（输入、输出电压匹配度高）；（2）约为电源电压VDD（通常为5 V）一半的逻辑转换电压；（3）抑制静态功耗；（4）“低”和“高”逻辑都有足够的噪声容限。为了实现以上逻辑功能，pMOS和nMOS都需要实现增强型工作模式，阈值电压VTH接近逻辑转换电压，在整个栅极输入电压范围（0～VDD）内要有较低的栅极泄漏电流。对GaN基功率器件而言，Si衬底上AlGaN/GaN异质结结构可以具备大尺寸晶圆能力，且能够利用成熟的CMOS工艺产线[4]。目前，AlGaN/GaN基n沟道增强型器件电学性能及可靠性获得了明显的提升，但在互补型逻辑电路方面的发展严重滞后。 图1 逻辑电路的输出电压及准静态电流特性[3] 3 n沟道增强型器件及其单片集成电路发展现状 3.1 n沟道增强型器件制备技术 AlGaN/GaN异质结构中较强的压电极化和自发极化效应，导致异质界面存在高浓度的二维电子气（2DEG）。进而，器件在栅极零偏压或者悬空时无法耗尽2DEG沟道而处于导通状态（耗尽型器件）。为了满足功率器件失效安全及CMOS逻辑电路的需求，通常需要实现增强型工作。对于GaN材料而言，一般思路是保留接入区高导通能力的2DEG，耗尽或截断栅极下方的2DEG，以实现器件在零偏压下处于关断状态。目前业界普遍采用的增强型器件方案有4种，分别为：有共源共栅级联结构，如图2（a）所示；氟离子（F-）注入器件结构，如图2（b）所示；凹槽绝缘栅结构（MOSFET），如图2（c）所示；p-GaN帽层结构，如图2（d）所示。级联方案是将增强型硅基绝缘栅器件和耗尽型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）器件通过共源共栅的方法形成双芯片混合管[5]。这种结构能充分利用硅基MOS结构实现小的栅泄漏电流和更高的VTH，且与传统硅基驱动电路匹配。然而，键合金属线会引入寄生电感，削弱GaN器件的高频工作能力，而硅器件的引入会降低其高温工作能力。F-注入法利用F-的强负电性耗尽沟道中的2DEG，从而实现常关型器件[6]，且F-注入会抬高AlGaN势垒层的能带并降低栅极漏电流，但离子注入会对器件有源区的晶格造成损伤，注入深度和浓度的均匀性很难保障。此外，该方案获得的VTH相对较小。绝缘栅结构通常利用等离子体完全刻蚀掉栅极下方的AlGaN势垒层，形成凹槽来耗尽2DEG，结合绝缘介质层形成MOSFET，以获得高的VTH、高栅电压摆幅和低栅极泄露电流[7]，但是刻蚀表面的晶格损伤和介质层界面缺陷会导致稳定性问题。近年来，业界开发了高温刻蚀、湿法刻蚀及选择区域外延生长等新型低损伤方案以形成凹槽结