开关电源的低功耗化、低噪声化和高速化.docx

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1.通过改变有源钳位电路中晶体管的基极连接,可以有效抑制噪声。2.具有源钳位可以降低交流噪音。总结:该技术具有较高的阻抗,可以有效地减少输出噪声,从而降低整体功耗。示例:```pythonclassPowerTransformer:def__init__(self,voltage,current):self.voltage=voltageself.current=currentself.upperc

开关电源的低功耗化、低噪声化和高速化 开关的提出和测量设备的优化三大重点 由于它的体积小、重量轻、效率高,开关开关广泛应用于各种信息系统设备中。近来, 伴随着人们对开关电源要求的进一步升级, 低电压大电流转换器的高效化以及响应的高速化成为了有关厂商和研究机构的热门课题。另外, 电子信息设备用量的激增还使得电磁干扰 (EMI) 问题日益突出, 而开关操作时产生的浪涌和噪声则是开关电源的固有缺陷, 为此人们将开关电源的低功耗化、小型化和低噪声化作为今后的三大重点研究目标。举个例子, 如果功耗增加, 就会导致元件温升的增加, 这不仅会降低电源的可靠性, 还因为需要增设散热器而不利于实现小型化。由此可见低功耗化与小型化是密切相关的, 所以在研究时不能割裂。而且, 来自业界的低生产成本要求也是必须尽力满足的。本文将概要介绍几种旨在实现开关电源的低功耗化、低噪声化和小型化的最新技术。 降压型转换型半桥式转换实现了效率 如图1所示, 近年来, 电子设备所采用的LSI的驱动电压正在逐渐下降, 而消耗电流却因为设备功能的多功能化增大了许多, 随着转换器的低电压大电流化, 以半导体元件为首, 变压器、配线等的导通损耗变得愈发明显, 往往很难维持高效率, 为此人们做了大量的研究工作。例如, 在把通信领域中常用的48V输入电压转换成LSI所用的1V低电压时, 以往的降压型转换器需要将接通时间比 (Time Ratio) 设定在1/40以下。在如此短的时间里流经开关元件的巨大脉冲电流是导致效率下降的主要原因。 但是, 在图2所示的采用抽头电感器 (Tap Inductor) 的降压型转换器中, 即使不采用非常小的时间比也能够获得很大的降压比。虽然当抽头电感器的绕组之间存在漏电感时会产生非常大的浪涌电压, 但由于采用了有源钳位 (Active Clamp) 电路, 故使得浪涌电压受到抑制。 另外, 如图3所示, 在采用绝缘变压器的场合, 研究人员还提出了将有源钳位电路嵌入推挽式转换器中的方案, 可在采用48V输入和1.2V/70A输出的条件下实现高达91%的效率。上面讲到的几种电路方式基本上都是一段式结构, 最近, 出于进一步提高效率的考虑, 人们正在加紧研发两段式结构的转换器。就普通的转换器而言, 采用两段式结构将导致效率下降是人所共知的常识, 然而, 在低电压大电流转换器中, 对输出进行同步整流是很普遍的做法, 因此, 如何实现同步整流操作的高效化便成为了关键所在。 图4所示即为降压型转换器与半桥式转换器级联而成的两段式转换器。电压控制由第一段的降压型转换器来完成, 第二段的半桥式转换器则以50%的固定时间比来工作。因此, 通常能够以最合适的条件来驱动第二段的转换器的同步整流开关, 从而实现总体效率的提升。日本的研究人员做了两个实验, 结果是:当输入电压为3 6~7 2 V、输出电压为1.5V/20A且开关频率为150k Hz的工作条件下, 转换效率达到了87%左右;而当输入电压为36~75V、输出电压为3.3V/60A且开关频率为170k Hz的工作条件下, 转换效率最高可达95%, 从而进一步降低了功耗。这种两段式结构最近已被DC/DC转换器模块大量采用。 同源使用的共源极型同源生产电路 伴随着开关电源开关操作时急剧的电压和电流变化而产生的浪涌和噪声将作为传导噪声或辐射噪声传递至设备的外部, 从而引发电磁干扰 (EMI) 问题。传导噪声 (特别是共模噪声) 中也时常会产生很大的环路电流, 这是辐射噪声的起因。近几年来, ZVS (零电压开关) 和ZCS (零电流开关) 等软开关 (Soft Switching) 技术作为抑制浪涌发生的常规方法已经广为人知。不过, 人们在此基础上又提出了多种能够兼顾低功耗和低噪声目标的电路方案。图5 (a) 示出了采用有源钳位电路的传统型转换器电路。钳位开关Q2需要在高压侧进行绝缘驱动, 这里通常采用的是脉冲变压器。然而, 如图5 (b) 所示, 研究人员最近又提出了一种共源极型有源钳位电路方案, 它将两个MOSFET开关的源极端子共接, 从而简化了栅极驱动。不仅如此, 这种共源极型电路方式还有望降低噪声, 经实验测量, 其噪声电平较之传统型电路下降了约30d B。 为了弄清其降噪原因, 让我们来设想一下共源极型有源钳位电路中的噪声电流通路 (见图6) 。如图所示, 虽然各MOSFET开关与外壳之间存在着通过散热器等而形成的寄生电容C4和C5, 但如果将变压器初级绕组的极性考虑在内, 就会发现Q1漏极的电位与Q2漏极的电位只产生等量的逆向变化。因此, 当电压在开关操作时发生变化的时候, 流经C4和C5的电流将会是反向的, 从而相互抵消。图6中, 在Q1关断时通过寄生电容C5产生的共模噪声电流经由寄生电容C4而被封

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