低软化温度和高电阻率无金属-金属间封接玻璃的研究现状.docxVIP

低软化温度和高电阻率无金属-金属间封接玻璃的研究现状 1 总结 1.1 应力的产生及特性 用于电子电气装置（如家用电器）中的金属和金属密封材料通常应具有以下属性：。 (1) 满足与金属相近的高膨胀系数 (α, 单位/℃) 。一般而言, 封接需使两者的α值尽可能接近, 以使封接后产生尽可能小的应力;如果热膨胀系数的差值△α0.5×10-6/℃, 则在封接界面产生较大的内应力;应力一旦超过封接界面的极限将形成裂纹, 使封接件遭到破坏。一般要求在玻璃转变温度 (Tg) 以下, 两者的热膨胀曲线基本接近。 (2) 封接温度低。封接温度过高易导致金属管材的损坏及操作不便, 作为封接材料的玻璃, 一般要求其熔点 (严格说是软化温度Tf, 单位℃) 要低。 (3) 高电阻率ρ。作为电子电气中金属-金属间封接材料应具有高ρ的特性, 以减少漏电损耗、提高承受高电压的能力及提高整体安全系数。一般来说, 电子电气中金属-金属的封接要求封接材料的log (ρ)15010, log (ρ)2015。 1.2 玻璃的化学性能 用于电水壶、热水器等家用电器中的电热管, 其端部金属-金属间的低端封接材料常用有机硅橡胶或环氧树脂, 其α值远低于金属, 且耐热性差、易老化。金属-金属封口处要求高的电绝缘性, 限制了金属焊料的应用。一般玻璃无法同时满足高α值、低Tf、高ρ的要求。富含Pb O的玻璃, 可达到与金属相匹配的高ρ值, 也容易获得较低的Tf, 使封接在较低的温度下进行, 避免封接温度过高对金属管材造成不利影响;控制玻璃中碱金属氧化物 (R2O) 和碱土金属氧化物 (RO) 的含量, 可获高ρ。把玻璃微晶化, 可提高其机械强度和化学稳定性。微晶玻璃 (glass ceramics, 又称玻璃陶瓷) 中必然存在玻璃相, 其量如能控制得当, 封接时玻璃料仍有较好的流动性与金属管材润湿, 提高封接的气密性, 还能增加样品的表面光泽度。 1.3 pbo.pb3o4具有高膨胀系数、低软化温度、高耐热性、高蒸发性和阴性趋势 1.3.1 玻璃网络的结构 传统上, 高α、低Tf、高ρ微晶封接玻璃的配方中富含Pb O。Pb O是一种典型的中间体, 在玻璃中含量可高达60~80 wt.%。Pb O在玻璃中形成螺旋型链状结构, 这种结构在受热时会表现出较大的α;较多的Pb O导致玻璃的Tf较低, 更易于封接。 有些高α、低Tf、高ρ微晶封接玻璃的原料配方富含Pb3O4。Pb3O4由Pb4+构成[Pb O6]八面体的链组成, 这些链之间是以Pb2+的[Pb O3]方式连接。在玻璃中, “由于Pb4+的离子半径比Pb2+小得多, 按照迪采尔场强值划分”, Pb4+应属于中间氧化物 (在有游离氧[O]的条件下可进入玻璃网络) , “而Pb2+则起到了网络外体的作用”;Pb4+在玻璃网络中以[Pb O4]存在, 即使在很高浓度仍能形成玻璃。Pb3O4熔入玻璃后, [Pb O4]代替[Si O4]形成网络;同时, 大量的Pb2+以网络外体存在;此时, 网络结构变得疏松, 玻璃的α变大。 此外, 为获高ρ, 基础配方中不宜含R2O或RO。 国外对微晶封接玻璃的研究较多, 富含Pb O的微晶封接玻璃基本上以Pb O-B2O3系统玻璃为基础, 如:R2O-Pb O-B2O3-Si O2(R=Li, Na, K) , F-Al2O3-Pb O-B2O3-Si O2, Zn O-Pb O-B2O3-Si O2, RO-Pb O-B2O3-Si O2(R=Ca, Ba, Sr) 等系统。常见的Zn O-Pb O-B2O3系统玻璃, α值为5.5×10-6~9.0×10-6/℃, 封接温度为500~650℃。 富含Pb O的微晶封接玻璃基础配方如表1所示。 1.3.2 国外对铅含量的限制 欧盟2006年7月1日开始启动“Ro HS (有害物质限制) ”指令, 对电子电气产品 (包括大型家用电器、小型家用电器、通讯设备等8大类, 但暂不包含大型工业设备) 中铅含量做了严格规定, 铅含量必须小于1000 ppm(即0.1 wt.%) ;日、美、俄等国也相继出台“电器及电子设备废弃物处理法”, 对电子设备中铅含量做了严格规定。更重要的是, 我国自2007年3月起施行“电子信息产品污染控制管理办法”, 全面限制和禁止电子、家电类产品使用含铅的材料。2010年1月1日, 美国加利福尼亚州开始实施“无铅法案 (AB1953) ”并作为《加州健康与安全法规》的相关条款开始强制实行, 主要涉及与饮用水相关的管道、阀门及加热器具 (如电热壶) 等。世界范围内对铅的含量限制日趋严格, “无铅化”的趋势已十分明朗。微晶封接玻璃的无铅化, 已经成为很多家用电器, 如热水器、电热壶等生产和出口的技术关键和瓶颈。因此, 研制高