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交流激励下硅钢叠片级配电网的三维有限元分析 1 铁心和屏蔽叠片内的涡流损耗 在硅钢片内，由于重叠平面上的工作磁通运动的交变，硅钢片横向面的工作量增加。但大型电力变压器中常采用的硅钢片的厚度只有0.27~0.35mm,片间有绝缘,该部分涡流被限制在很窄的区域内,引起的涡流损耗是很小的。通常在用有限元软件计算分析电力变压器涡流问题时,受计算机容量和计算时间的限制,不分析每一个叠片内的涡流,而是将变压器铁心或磁屏蔽的叠片建成一个实体块(bulk),对于叠片材料的电导率设为零或给定电导率各向异性。对于变压器铁心和屏蔽叠片内该部分涡流损耗的计算,是待解得场后,用获得的磁通密度查比总损耗(specific total loss)曲线得到,或用斯坦梅兹公式计算得到,计算得到的损耗已经将该部分涡流损耗连同磁滞损耗计及在内。 另一方面,在电力变压器、电抗器铁心硅钢片的一部分区域涡流损耗是不能忽略的。比如在变压器的线圈端部高度,将有一部分漏磁通垂直于叠片平面穿入铁心和油箱磁屏蔽,如图1a所示。在铁心式电抗器中,每个铁心饼之间存在一个气隙,在铁心靠近气隙的边缘部分会产生磁通的边缘效应,边缘磁通(fringing flux)将部分垂直进入铁心,如图1b所示。垂直于叠片平面进入铁心和磁屏蔽的磁通引起的涡流在叠片平面内自由流动,涡流损耗是很可观的,会引起硅钢片局部过热,极端情况下会烧毁绝缘。该类问题在实际工程中已被经验丰富的设计者找到了解决措施:对于铁心式电抗器,为避免铁心局部过热而将铁心辐射状叠积,而对于某些大容量变压器、电抗器和壳式变压器油箱磁屏蔽有采用垂直于油箱平面叠积的方式(立式),铁心的末级铁则采用高度方向开槽的方式。虽然设计者知道了采取措施的方式,但对采取的措施没有量化的目标,比如多大产品容量需要怎样的屏蔽型式,对铁心开槽的数量、高度和深度,对油箱磁屏蔽漏磁通透入的深度和屏蔽内的磁通密度分布也不是很清楚,加上垂直于油箱敷设的磁屏蔽切铁和制造工艺复杂,采取的措施都带有盲目性,需要对叠片做“单片级”(最小测量单位达到1片)的测量和分析。 2 磁屏蔽模型的简化处理 用标准规定的电工钢片测试设备不能测量到由于垂直进入磁通引起的附加损耗,更不能考察“单片级”上的磁通和损耗。为此我们建立了一个叠片模型,具体做法是对国际TEAM Problem 21基准族中的磁屏蔽模型P21c-M1和P21c-M2进行简化处理,即从模型中移去被屏蔽的钢板,测量随叠片层数和激励电流的增加硅钢片中铁损和与之交链磁通的变化规律,使考察“单片级”的薄层内的损耗、涡流、磁通的波形和分布的实际情况、变化规律成为可能(整体测量20片硅钢片的损耗是很难做到分离“单片级”的损耗的)。所获得的测量和计算结果、结论,将有助于合理建立有限元分析模型,验证各种工况下电磁场和损耗计算方法的有效性。 2.1 硅钢模型的制备 对国际TEAM Problem 21基准族中的磁屏蔽模型P21c-M1和P21c-M2中移去钢板(10mm厚,普通A3钢),只保留励磁线圈和取向硅钢叠片(每片0.3mm厚,共20片)。分别简称为M1和M2模型,如图2、图3所示,其中模型M1的硅钢片宽度为270mm,模型M2中的硅钢片分割为80mm宽的3条。硅钢片材料(30RGH120)的电磁性能数据、激励源结构设计参数,见Problem 21基准族定义。 2.2 导线的位置和截面 图3示意地给出了多个测量线圈的具体位置和编号。每个测量线圈均为20匝。绕制测量线圈的导线直径为0.04mm,位置位于线圈的中心横截面上。测量线圈紧贴硅钢片绕制,可以认为测量线圈与被包绕的硅钢片之间没有气隙。 为了测定与20硅钢片构成的叠片组所交链的总磁通(最大值),在M1和M2的另一侧线圈的中心横截面上包绕20片叠片组设置了同样的测量线圈。 2.3 应力电压波形和损耗数据 实验线路如图4所示。其中激励电流分别为10A、15A、20A、25A(RMS,50Hz)。在每个激励电流下,屏蔽叠片从第1层、第2层、第3~4层、第5~6层、第7~10层、第11~15层、第15~20层依次增加叠片数,用日本YOKOGAWA公司的WT3000记录测量线圈的感应电压波形数据和相应条件下的损耗数据。 根据法拉第电磁感应定律,将试验中测得的测量线圈内的瞬态电压数据(电压波形可能畸变)对时间进行积分计算,得到该测量线圈包绕的硅钢片内的瞬态交链磁通的波形数据,取其最大值,得到磁通最大值,除以该线圈内包含的硅钢片的有效面积,得到相应位置的平均磁通密度的最大值Bmax。 2.4 结果 2.4.1 硅钢片层数对损耗的影响 模型M1和M2在不同硅钢层数和不同的激励电流条件下损耗测量结果分别示于图5a和图5b。两个模型的损耗测量结果表明:对于10~25A施加电流,硅钢片达到4~6层片子后