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非晶体硅在dr中的应用

在数字摄影（hdd）中，x线能量转换为信号的能力由平板探测器（flat方案探测器，fsd）实现，因此，平面探测器的特性对dr图像的质量有很大影响。到目前为止,碘化铯和非晶体硅(简称非晶硅)的组合在所有物质中,量子检测效率(DQE)和MTF特性是最好的,GE、西门子、飞利浦和其他多家公司都采用了这种平板探测器来构建它们的DR系统。非晶硅平板探测器作为DR的核心部件需要我们积极地去了解和掌握其技术、原理和应用。

1.1晶硅晶片材料

非晶硅是通过蒸化沉淀成型的一种非晶体薄片,常规集成电路是由晶体硅晶片组成。晶体硅晶片是生长晶(growncrystals)的切片。非晶硅对于X线接收器来说是最理想的材料,因为非晶硅对放射线的伤害是免疫的。供成像器使用的非晶硅被搀入氢和扩散P/N掺杂物来产生P/N结。

1.2碘化晶体结构

碘化铯具有高X线接收和高可视光子产量。搀入钠可产生蓝光,在核粒子检测器中被用作光电阴极。而搀入铊能产生绿光,可用作硅检测器。CsI(碘化铯)闪烁层是一种吸收X线并把能量转换为可见光的化合物。闪烁体材料由厚度为500～600μm连续排列的针状碘化铯晶体构成,针柱直径约6μm。CsI晶体的针状结构可以像光纤一样把散射光汇集到光电二极管,可以有效地抑制光线的散射,从而改善探测器的MTF和DQE特性,不过仍然不能完全克服散射效应。如图1-1所示。

碘化铯材料具有优于其它X线荧光体材料的吸收性能。此外,碘化铯晶体具有良好的X线—电荷转换特性。据实验研究,单个X线光子可产生800～1000个光电子。在当前产品中,碘化铯与非晶硅的结合可获得最高的DQE值

1.3柔性印刷板

每个像素单元由具有光敏性的非晶硅光电二极管及不能感光的开关二极管、行驱动线和列读出线构成。位于同一行所有像素元的行与驱动线相连,位于同一列所有像素元的列与读出线相连,以此构成探测器矩阵的总线系统。这些连接的空间常常比象素的尺寸还小,为了保证信号的正常传输,经常使用小的柔性印刷板来连接上千个节点。低密度端一般焊接在附加电子设备的印刷电路板上。而高密度端使用一个各向异性的导片与玻片连接来控制温度和压力。柔性电路一般为一卷像胶片,因此在大容积上,吸附过程(attachmentprocess)由机器完成。该技术称为带自动焊接,该方法称为TAB吸附。

1.4量表改造道qe和调制转换参数mtf

判断平板探测器图像质量的好坏,通常用调制转换参数(MTF)和量子探测效率(DQE)来衡量。MTF值和DQE值高则表明该平板探测器产生的图像质量能够达到较好的空间分辨率和密度分辨率。对于一幅图像,能够正常进行诊断的空间频率为(0.5～3.0)cycles/mm。

量子探测效率(DQE):是一种对成像系统的信号和噪声从输入到输出的传输能力的表达,以百分比表示。DQE反映的是平板探测器的灵敏度、噪声、X线剂量和密度分辨率。国际IEC工作组,IECSC62BWG33建立了一种在国际上认可的数字X线成像系统DQE的方法,即IEC62220-1。DQE测量的结果是依赖于测量所用的曝光条件和参数设置。

调制转换参数(MTF):是一个成像系统提取其目标的对比度作为清晰度函数的能力;MTF反映的是平板探测器影像对比度和空间分辨率。MTF表达了输入信号与输出信号的比值,该数值越大,表示成像系统的信息量损失越小。MTF表达了输入信号与输出信号的比值,该数值越大,表示成像系统的信息量损失越小。

2光电势光机设计

在非晶硅平板探测器(Photomicrographofana-Sisensorpanel)的放大图中,作为开关使用的是一个薄片三极管(TFT),非常像使用在液晶显示的活动矩阵里的开关。平板设计中一个重要的目的是取使用光电二极管(高占空因子)的成像器的最大区域,这样使到达光的量浪费最小。信号通过细金属线传输,该传感器平板的像素中心矩是127μm,占空因子是35%。如图1-2所示。

位于探测器顶层的碘化铯闪烁晶体将入射的X线转换为可见光,可见光激发非晶硅光电二极管阵列,使光电二极管产生电流,实现从可见光到电信号的转换,在光电二极管自身的电容上形成储存电荷。每一像素电荷量的大小与入射X线的强弱成正比,同时该阵列还将空间上连续的X线图像转换为一定数量的行和列构成的总阵式图像。点阵的密度决定了图像的空间分辨率。在中央时序控制器的统一控制下,行驱动电路与读取电路将电荷信号逐行取出,转换为串行脉冲序列并量化为数字信号。获取的数字信号经通信接口电路传至图像处理器,从而形成X线数字图像。如图1-3所示。

3非晶硅平板探测器的用原理

利用非晶硅将X线转换为可读出的电荷一般有三种方法,它们是本征导电法,光敏电阻法和闪烁体法。每种方法都有它的优缺点,把它们应用到