存储器系统课件.pptVIP

*例5-1用記憶體晶片SRAM6116構成一個4KB的存儲系統，要求其地址範圍在78000H~78FFFH之間；VccA8A9R/WOEA10CSD7D6D5D4D3123456789101112242322212019181716151413A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDA19A18A17A16A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A001111000000000000000011110000111111111110111100010000000000001111000111111111111第一片第二片分析：6116 2K×8bits 由此得知：需要2片6116晶片；第一片的地址範圍為：78000H~787FFH第二片的地址範圍為：78800H~78FFFH地址展開：*8088系統BUSD0~D7D0~D7A0A0A10A10MEMWR/WMEMROECSD0~D7D0~D7A0A0A10A10MEMWR/WMEMROECSA19≥1Y0Y1A14A18A17A16A15A13A12A11G1G2BG2ALS138CBA*單管動態存儲元數據線D字選線T1C動態記憶體是通過把電荷存儲到電容中來實現資訊存儲的。單管MOS動態存儲電路的優點是線路簡單，單管佔用面積小，集成度高，速度快；缺點是讀出是破壞性的，而且單元讀出信號較小，要求有高靈敏度的讀出放大器；另一個缺點是刷新。字選線（地址選擇線）位線D（數據線）分佈電容C0存儲電容CT1*典型晶片2164A12345678161514131211109NCDINWERASA0A1A2GNDVCCCASDOUTA6A3A4A5A7位片式64KbitA0~A7地址輸入線，分時複用，16位地址分為兩次輸入，稱為行地址和列地址，它們被分別鎖存到晶片內部的鎖存器中；DIN和DOUT數據輸入、輸出線；WE寫允許信號線； RAS:行地址鎖存信號；CAS:列地址鎖存信號；*X地址解碼Y地址解碼0.00.255255.0255.255X0X255Y0Y255I/OA0A7A0A7DINDoutDINDout*刷新將動態隨機記憶體的每一位資訊讀出並寫入的過程。刷新的方法是使列地址信號無效，行地址有效，然後將這一行的資訊讀出再寫入即刷新。每次送出不同的行地址就可以刷新不同行的存儲單元，將行地址迴圈一遍，則刷新了整個晶片的所有存儲單元。刷新時位線上的資訊不會送出到數據匯流排上。DRAM要求每隔2~8ms刷新一次，它稱為刷新週期。*A0～A7A8～A15ABLS158SADDSELD0～D7LS245ABDREMEMRRAMADSELD0～D72164×8片RAS0CAS0A0～A7RAS0CAS0MEMWWEDRAM讀寫簡化電路示意圖DRAM在系統中的連接*5.2.3記憶體的擴展使用多個晶片組成存儲系統：1、存儲容量的位擴展位擴展的電路連接方法：將每一個存儲晶片的地址信號線和控制線並聯地接到系統匯流排上，將他們的數據線分別引出連接至數據匯流排的不同位上；地址匯流排ABA7～A0A15～A8A7～A0A15～A8A7～A0A15～A8A7～A064KbD7WERASCASA7～A064KbD6WERASCASA7～A064KbD0WERASCASWERASCASD5D1數據匯流排DB64KB………MEMW行選列選用8個2164構成容量為64KB的記憶體*2