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金属铜的抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

磨

料

SiO2

0.1

1

5

10

－

5

10

10

－

Al2O3

－

－

－

－

15

－

－

－

20

氧

化

剂

H2O2

0.1

1

2

－

－

2

5

5

10

过氧化苯甲酰

－

－

－

5

－

－

－

－

－

过硫酸钾

－

－

－

－

8

－

－

－

－

络

合

剂

5-羧基-3-氨基-1,2,4三氮唑

0.1

－

－

－

－

－

－

－

－

羟基亚乙基二磷酸

－

0.2

－

－

－

－

－

－

－

2-吡啶甲酸

－

－

1

－

－

－

－

－

5

2,3-二氮基吡啶

－

－

－

2

－

－

－

－

－

3-氨基-1,2,4-三氮唑

－

－

－

－

3

－

－

－

－

1,2,4-1H-三氮唑

－

－

－

－

－

1

－

－

－

氨基三亚甲基膦酸

－

－

－

－

－

－

2

－

－

1,2-二羧基2-膦酸-磺酸庚烷（PSHPD）

－

－

－

－

－

－

－

3

－

水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分简单混合均匀，之用于硝酸调节至合适的PH值即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料0.1~20、氧化剂0.1~10、络合剂0.1~5、水余量。

所述磨料可选用本领域常用的磨料，如SiO2和Al2O3等。

所述氧化剂较佳的选自有机或无机过氧化物和/或过硫化物，优选过氧化氢、过硫酸盐和过氧化苯甲酰。

所述络合剂选用三氮唑，碳原子上带氨基和/或羧基的三唑类化合物，带羟基、氨基或磺酸基的有机磷酸，以及带氨基或羧基的含氮杂环化合物。

其中，当所述的络合剂选用三氮唑，碳原子上带氨基和/或羧基的三唑类化合物，以及带羟基、氨基或磺酸基的有机磷酸时，本品的抛光液除了对下压力变化敏感度较低外，在较低的下压力下还具有较高的Cu去除速率，尤其适合机械强度低的低k材料绝缘层的抛光，即快速去除阶段，具体优选物质为1,2,4-1H三氮唑、3-氨基-1,2,4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1,2,4三氮唑、羟基亚乙基二磷酸、氨基三亚甲基膦酸和有机磷磺酸中的一种或多种。

选用带氨基或羧基的吡啶环时，本品的抛光液具有的Cu去除速率不仅对下压力的变化不敏感，而且也较低，适合第二步软着陆阶段的抛光，具体优选物质为2-吡啶甲酸和/或2,3-二氨基吡啶。

本品抛光液的PH值较佳的为1~7，更佳的为2~5。

产品应用本品主要应用于金属铜的抛光。

产品特性本品的抛光液具有的Cu的去除速率对下压力变化的敏感度较低。采用本品的抛光液抛光后，铜表面比较光滑，表面形貌较好。其中，选用三氮唑，碳原子上带氨基和／或羧基的三唑类化合物，和／或带羟基、氨基或磺酸基的有机磷酸的本品抛光液，在较低的下压力下具有较高的Cu去除速率，尤其适合机械强度低的低k材料绝缘层的抛光。选用带氨基或羧基的吡啶环的本品抛光液具有的Cu去除速率不仅对下压力的变化不敏感，而且也较低，适合第二步软着陆阶段的抛光。

参考文献中国专利公告CN－200710047465.2