2026《浅沟槽刻蚀工艺研究》11000字.doc

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浅沟槽刻蚀工艺研究

摘要

在当前大规模集成电路制造过程中，器件隔离采用浅沟隔离。本文对0.18微米浅沟槽隔离技术（STI）刻蚀工艺进行了研究。

文中通过各工艺参数的选取，解决浅沟槽隔离（STI）刻蚀深度、刻蚀角度和刻蚀均一性等问题。文中采用改变刻蚀速率的方法控制浅沟槽孤立（STI）刻蚀深度，通过提高0、的含量，解决刻蚀角度太垂直的情况。本论文通过对浅沟道隔离工艺难点的解决与优化，所得到隔离结构性能完全满足0.18um逻辑器件技术规模化批量生产的需求。

关键词：浅沟槽；刻蚀；工艺

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