CN1868063A 场效应晶体管、特别是垂直场效应晶体管、存储单元和制作方法 （英飞凌科技股份公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200480030422.8

[43]公开日2006年11月22日

[51]Int.Cl.

HO1L27/108(2006.01)

HO1L21/8242(2006.01)

[11]公开号CN1868063A

[22]申请日2004.9.16

[21]申请号200480030422.8

[30]优先权

[32]2003.10.15[33]DE[314

[86]国际申请PCT/EP2004/0522162004.9.16

[87]国际公布WO2005/038922德2005.4.28

[85]进入国家阶段日期2006.4.17

[71]申请人英飞凌科技股份公司地址德国慕尼黑

[72]发明人H·图斯

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人顾珊魏军

权利要求书3页说明书7页附图2页

[54]发明名称

场效应晶体管、特别是垂直场效应晶体管、存储单元和制作方法

[57]摘要

给出了一种具有单晶控制区(34)的场效应晶体管的解释。该场效应晶体管(37)提供了用于电路设计的自由度，并且可以通过简单的方式制作。

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200480030422.8权利要求书第1/3页

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1.一种场效应晶体管(37)

具有沟道区(24),

具有导电沟道连接区(25、30),邻接于沟道区(24),

具有与沟道区(24)邻接的晶体管电介质(22),并且具有通过晶体管电介质(22)与沟道区(24)分离的控制区(34),

其特征在于，控制区(34)由单晶材料制造。

2.如权利要求1的场效应晶体管(37),其特征在于单晶衬底(10),其包含控制区(34),并且其优选地承载多个电气半导体元件。

3.如权利要求2的场效应晶体管(37),其特征在于配置在单晶衬底(10)中的沟槽(12),该沟槽包含晶体管电介质(22)和沟道区(24),

控制区(34)配置在沟槽(12)的沟槽壁处，

并且一个沟道连接区(25)优选地配置为比其他沟道连接区(30)更接近沟槽(12)的沟槽底部。

4.如前述权利要求其中之一的场效应晶体管(37),其特征在于，单晶材料包含优选掺杂的半导体材料，特别是硅或硅锗。

5.如前述权利要求其中之一的场效应晶体管(37),其特征在于，晶体管电介质(22)是单晶的，

晶体管电介质(22)的晶格优选地具有与单晶材料的晶格常数偏离小于5%的晶格常数。

6.如权利要求5的场效应晶体管(37),其特征在于，晶体管电介质(32)包含氧化镨或者包括氧化镨，特别是三氧化镨Pr?O?。

7.如前述权利要求其中之一的场效应晶体管(37),其特征在于，沟道区(24)包含单晶材料或者包括单晶材料，

并且/或者沟道区(24)是掺杂的或未掺杂的，

并且/或者沟道区(24)具有相对于控制区(34)横向地小于20nm的范围。

8.如权利要求7的场效应晶体管(37),其特征在于，沟道区(24)包含在邻接于晶体管电介质(32)的外延层中，优选地是硅外延层或硅锗外延层。

200480030422.8权利要求书第2/3页

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9.一种存储单元(38),其特征在于如前述权利要求其中之一的场效应晶体管(37)。

10.如权利要求9的存储单元(39),其特征在于，场效应晶体管(37)配置在包含电容器电介质(18)和沟槽电容器(38)的电极(20)的沟槽(12)中。

11.如权利要求10的存储单元(39),其特征在于，电容器电介质(18)和电极(20)配置在沟槽(12)的下部部分中，

并且晶体管电介质(22)和沟道区(24)配置在沟槽(12)的上部部分中。

12.如权利要求11的存储单元(39),其特征在于，沟道区(24)沿沟槽(12)的上部部分的外围或一部分外围配置，

并且/或者沟道区(24)包围配置在沟槽(12)的上部部分中的电绝缘填充材料(26)。

13.如权利要求9～12其中之一的存储单元(39),其特征在于绝缘环(17),其配置在沟槽(12)的上部部分和下部部分之间，并且优选地被视为电介质的，优选地比电容器电介质(18)厚至少3倍，

或者没有厚度大于电容器电介质(18)或晶体管电介质(22)的厚度的绝缘环(1