CN1895997A 碳纳米管阵列制作方法 （清华大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

C01B31/02(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200510035986.7

[43]公开日2007年1月17日[11]公开号CN1895997A

[22]申请日2005.7.13

[21]申请号200510035986.7

[71]申请人清华大学

地址100084北京市海淀区清华大学物理系

共同申请人鸿富锦精密工业(深圳)有限公司[72]发明人刘亮范守善

权利要求书2页说明书7页附图2页

[54]发明名称

碳纳米管阵列制作方法

[57]摘要

本发明涉及一种碳纳米管阵列制作方法，其包括以下步骤：提供一形成有遮挡层的基底；提供一催化剂蒸发源；沿一旋转轴旋转基底，在基底上形成具有厚度梯度的催化剂薄膜；去除遮挡层，在催化剂薄膜上定义出至少一催化剂区块，该催化剂区块的厚度由其一第一端部向一第二端部逐渐减薄，且在该第一端部至第二端部的范围内有一厚度最接近一最佳厚度；将催化剂区块处理成催化剂颗粒阵列；通入碳源气，利用CVD法生长碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离最佳厚度方向弯曲。本发明通过对催化剂薄膜沉积的控制，可实现碳纳米管阵列局部的多个方向生长。

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200510035986.7权利要求书第1/2页

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1.一种碳纳米管阵列制作方法，其包括以下步骤：

提供一形成有一遮挡层的基底；

提供一催化剂蒸发源；

沿一旋转轴旋转该基底，在上述基底上形成具有厚度梯度的催化剂薄膜；

去除上述遮挡层，在上述催化剂薄膜上定义出至少一催化剂区块，该催化剂区块的厚度由其一第一端部向一第二端部逐渐减薄，且在该第一端部至第二端部的范围内有一厚度最接近一最佳厚度；

将上述催化剂区块处理成一催化剂颗粒阵列；

通入碳源气，利用化学气相沉积法在上述催化剂颗粒阵列上生长出碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离上述最佳厚度方向弯曲。

2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述旋转轴平行于该基底的其上形成有该催化剂薄膜的平面。

3.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述遮挡层的材质可选用厚膜光刻胶，附着在一牺牲层上的金属及其氧化物或氮化物，或镂空模板。

4.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述催化剂蒸发源包括热蒸发源及电子束蒸发源。

5.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述催化剂蒸发源包括点蒸发源及直线型蒸发源。

6.如权利要求5所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述直线型蒸发源位置设置为与该旋转轴平行。

7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述基底是以一匀角速度绕该旋转轴旋转，且旋转周期小于该催化剂薄膜的形成时间。

8.如权利要求7所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述催化剂薄膜的厚度近似满足公式：

T(λ)=T?/2x(1+2/√z2+h2)

式中，λ为催化剂薄膜某一位置到该遮挡层的距离，To为若无遮挡层时，

200510035986.7权利要求书第2/2页

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旋转基底形成的催化剂薄膜的λ处厚度，h为该遮挡层的高度。

9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述催化剂薄膜的材质包括铁、钴、镍、及其合金。

10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于，所述催化剂区块的尺寸大小为100nm~100μm。

11.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述催化剂区块的第一端部的厚度范围为5~20nm,第二端部的厚度范围为1~10nm。

12.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述催化剂区块的处理方法包括将上述催化剂区块在空气中进行退火。

13.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于该最佳厚度的确定方法包括以下步骤：配合一遮挡层在一基底上沉积催化剂，形成一厚度从薄到厚逐渐变化的催化剂薄膜；在预定的化学气相沉积条件下生长碳纳米管阵列；用显微镜观测得碳纳米管生长最高的位置；该位置的催化剂薄膜厚度即为