CN1876898A 一种批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法 （东元电机股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

C25D13/02(2006.01)

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510075000.9

[43]公开日2006年12月13日[11]公开号CN1876898A

[22]申请日

[21]申请号

[71]申请人地址

[72]发明人

2005.6.7

200510075000.9

东元电机股份有限公司中国台湾

郑奎文李裕安萧俊彦蔡金龙李协恒

[74]专利代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限

责任公司

代理人余朦方挺

权利要求书4页说明书8页附图6页

[54]发明名称

一种批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法

[57]摘要

电泳溶液调制进行电泳沉积第一电泳槽第n电泳槽取出电泳沉积后的阴极结构培烤烧结一种批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法，所述方法包括：取阴极结构半成品，将阴极结构及金属面板与电泳电极相连接，将阴极结构一侧与金属面板平行并保持一固定距离的置放于电泳槽的溶液中，以分批次移除阴极结构内的气泡以及使碳纳米管电泳沉积于阴极结构上，在沉积后将阴极结构取出，进行低温简单焙烤，以移除阴极结构上的多余溶液，直到在多次电泳技术沉积下，碳纳米管能均匀沉积于阴极结构上形成电子发射源。然后将阴极结构取出进行低温简单焙烤，以移除阴极

电泳溶液调制

进行电泳沉积

第一电泳槽

第n电泳槽

取出电泳沉积后的阴极结构

培烤

烧结

200510075000.9权利要求书第1/4页

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1.一种批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法，所述方法包括：

a)取待进行电泳沉积的阴极结构半成品，将所述阴极结构半成品及金属面板与电泳电极相连接；

b)将电泳溶液调配完成后，倒入多组电泳槽中，将待被电泳沉积的阴极结构一侧与所述金属面板平行并保持固定距离地置入所述电泳槽的溶液中，以分批次进行电泳沉积，在所述阴极结构与所述金属面板置入第一电泳槽时，进行第一次电泳沉积，同时启动所述第一电泳槽的除气泡装置，以移除所述阴极结构内的气泡，然后关闭所述除气泡装置，在所述电泳电极的阴极和阳极之间提供电场，使所述阴极结构静置于所述溶液中进行电泳沉积，在沉积后将所述阴极结构取出，进行低温简单焙烤，以移除所述阴极结构上的多余溶液；

c)在进行所述第一次电泳沉积后，将焙烤后的阴极结构浸泡于第二电泳槽中，以进行第二次电泳沉积，同时启动所述第二电泳槽的除气泡装置，以移除阴极结构内的气泡，然后关闭所述除气泡装置，在所述电泳电极的阴极和阳极之间提供电场，使所述阴极结构静置于所述溶液中进行电泳沉积，在沉积后将所述阴极结构移出，进行低温简单焙烤，以移除所述阴极结构上的多余溶液；重复所述电泳沉积步骤，直至碳纳米管经过多次电泳沉积制作能均匀沉积于所述阴极结构的阴极电极层以形成电子发射源；

d)将完成所述沉积的阴极结构取出后，先进行低温简单焙烤，以移除阴极结构上的多余溶液，然后进行烧结过程，使所述阴极电极层上的金属氢氧化物再氧化为金属氧化物，以增强碳纳米管与阴极电极层之间的导电性。

2.如权利要求1所述的批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法，其中，所述阴极结构半成品的制作方法包括：

a)在玻璃基板表面上形成阴极电极层，在所述阴极电极层表面上形

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成介电层，在所述介电层表面形成栅极层，然后利用光刻技术在所述栅极层表面形成可以暴露所述介电层的凹陷区；

b)在所述栅极层表面形成保护层，利用蚀刻技术在所述介电层表面形成可以暴露所述阴极电极层的凹陷区，然后剥离所述保护层；

c)在所述介电层和所述栅极层上形成另一保护层，即完成所述阴极结构半成品的制作。

3.如权利要求1所述的批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法，其中，所述阴极结构的所述阴极电极层通过阴极导线与所述电泳电极的阴极相连接，所述电泳电极的阳极与所述金属面板相连接，所述金属面板可为白金或钛金属面板或者网版。

4.如权利要求1所述的批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源