复合结构静电感应晶体管的终端造型.pdfVIP

Science TechnologyVision 2011年8月第23期 科 技 视 界 项目与课题 复合结构静电感应晶体管的终端造型 朱 筠 李思渊 (1．西安邮电学院电子工程学院 陕西 西安 710121；2．兰州大学微电子研究所 甘肃 兰州 730000) 摘【 要】为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应，对应于静电感应器件的复合 结构，采用限场环与切断环作为终端造型，使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽，以分散电力线并降低表面电场。 【关键词】复合结构SIT；限场环；切断环 0 引言 宽，以分散电力线并降低表面电场。对应于静电感应器件的 复合结构，采用了限场环与切断环作为终端造型。 静电感应晶体管(SIT)是唯一具有类三级管特性的半导 体器件，一般为常开型器件 。其注入功耗低、功率容量大、 1 终端造型 工作频率高、热稳定性好、抗辐射能力强，可广泛用于高速、 1．1 限场环的设计 高压、低功耗场合。根据栅体结构、分布和制造工艺的不同， 限场环(Field—limitingRings)简称 FLR，其结构如图2所 静电感应器件可分为：埋栅、表面栅、复合栅、绝缘盖栅、槽栅 示啊。限场环结构是功率器件的常用终端技术之一，它通过限 和双栅等结构。这些结构的共同特点是都具有垂直沟道，且 场环分压，降低了结表面区由曲率效应引起的高电场，从而 沟道被栅体环围在中间，源极区和漏极区分别位于芯片的上 提高主结的击穿电压。 下两个表面，这种布局有利于高耐压、大电流设计，是电力电 子器件通用的布局方式。 复合结构 SIT(如图 1)的源区(阴极区)由大面积平面扩 散方法形成 ，简化了制造工艺，提高了成品率。兼有表面栅 和隐埋栅的特点。复合结构SIT的栅压可正可负，既可以工作 在正向导通状态，也可以工作在正向阻断状态。器件可以做 成常闭型也可以做成常开型。但由于源(阴)扩散层和栅区以 及沟道区存在一定程度的杂质补偿 ，其主要缺点是栅一源 (阴)击穿电压不高。 图2 限场环结构示意图 在器件的作用区域或主结的周围。人为的添加一道或多 圈 道精确控制间距和宽度的环形结 ．与主结同时扩散形成了一 连串适当间隔开的与主结同心的P型圆环，各环的宽度毗和 一 ’ 环间距d可以相等，也可以不等。当给主结上施加一定的反 偏压时，主结上的反偏电压上升使器件的边缘电场增强，当 A 边缘电场达到临界电场时便出现击穿现象。然而，加上限场 图1 复合栅结构 SIT 环之后反偏电压上升使pn结耗尽层与限场环穿通 ，当外加 为提高器件的耐压特性，除了体内各参数之间的配合， 电压继续上升则由限场环来承担。主结电场增加就会得到控 有效的办法是对表面终止的pn结进行处理．以改善边缘的 制。加上限场环的作用就是相当于在器件的边缘增加了一个 电场分布、缓和