Si基绝热结构BST铁电薄膜红外探测器阵列的研制.pdfVIP

Si基绝热结构BST铁电薄膜红外探测器阵列的研制’ 曾亦可 刘梅冬姜胜林 黄焱球 刘少波 周东祥 (华中科技大学电子科学与技术系 武汉430074) 摘要：本文介绍了一种采用Si基绝热结构和“填充一掏空”技术来制备非致冷红外探测嚣阵 列的新方法．以此为目标，重点研究了ZnO纳米粉末的制备工艺以及如何在si基片表面形成ZnO膜 层网格状结构的方法．对所研制的BST铁电薄膜敏感元材料进行了阵列图形刻蚀，结果表明，在40 ℃时刻蚀液对BST铁电薄膜的刻蚀速度约为3炉／,*in，刻蚀的薄膜图形边缘轮廓清晰，刻蚀后薄膜 x8元红外探测器阵列． 也无晶格畸变和铁电性能改变，并由此研制出BST铁电薄膜8 关键词：非致冷红外探测嚣阵列：绝热结构；Sol-Gel；铁电薄膜；BST 1引言 红外热成像技术关系到国民经济的发展和国家的安全，长期以来有关红外探测与红外热成像技 术领域就一直倍受人们关注。就红外热成像而言，其关键问题之一是如何制备出高灵敏度的多元红 外探测器阵列．就非致冷型红外探测器阵列而言，典型代表有美国Texas公司的BST铁电陶瓷减薄 元微桥式结构阵列。 BST铁电陶瓷减薄型混台式结构阵列采用陶瓷切片、减薄、激光辅助刻蚀网格化柱状敏感元和 铟柱倒装焊等工艺制备，对设备要求高。制各工艺及其复杂。VOx薄膜型微桥式结构阵列则采用Si 微细加工技术制备敏感元支撑腿。使敏感元在支撑腿的支撑下呈悬空状态，以加大热阻防止热扩散。 制备敏感元微桥不仅涉及到微机械系统的研究领域同时还必须保证薄膜(敏感元材料)在制各过程 中不受损伤，因此必须全面考虑薄膜在制备工艺中的各种物理、化学条件下的兼容性，实现起来是 较困难的。 本文研究的si基绝热结构非致冷红外探测器阵列采用了与上述内容完全不同的结构设计和制 造技术。与铁电陶瓷减薄型混合式结构阵列相比它避免了复杂的陶瓷切片、减薄、激光辅助刻蚀网 格化柱状敏感元和铟柱倒装焊工艺，与薄膜型微桥式结构阵列相比它又不需为加大热阻防止热扩散 以提高阵列的探测灵敏度而制备复杂的微桥式结构。采用“填充—掏空”技术制各si基绝热结构非 致冷红外探测器阵列对设备要求不高，工艺简单易行，阵列能直接在si基片上与半导体电路集成， 可望组装出实用化的小规模非致冷红外焦平面阵列． BST铁电材料在相变点附近其极化对温度的变化极其敏感，材料温度稍有波动则会导致极化大 幅度的改变，而极化的变化便产生电荷．电荷量反映了红外辐射功率的大小。因此利用BST铁电薄 膜在相变点的特性来制备红外探测器阵列敏感元，并辅以si基绝热结构设计和“填充—掏空”制备 技术便是本文研究的主要内容． 2 Si_基绝热结构阵列工艺 在目标siooo)基片上用微机控制YAG固体激光器或其它类型的激光器进行激光打孔，形成有 规则的孔阵列。孔径的大小及分布根据需要预先设计好，由微机控制激光器产生。激光加工后的孔 阵列还应进行化学惨整(腐蚀)，使孔壁和边缘平滑、整齐．孔形略呈喇叭状，化学试剂使用四甲基 130 孔阵列结构示意图如图l所示。 填充材料选用混有氧化锌(ZnO)纳米粉末 的ZnO半流动性溶胶。含zfI有机溶胶由分析纯 的醋酸锌和有机溶剂乙二醇甲醚制成，醋酸锌的 浓度控制在3～5mol／L．将醋酸锌与乙二醇甲醚 混合，加入适量的催化剂冰醋酸和稳定剂乙醇 胺．在60℃条件下搅拌数小时，形成稳定透明 的ZnO溶胶。 将配制好的ZnO溶胶置于抽真空的干燥箱 图1激光加工的孔阵列结构 中，胶化温度为70℃，让ZnO溶胶中的溶剂缓 慢地挥发直至形成固态凝胶(gel)．继续升高温度至200(2，经过一段时间gel被碳化成黑色疏松状 粉末，取出后研磨得到ZnO源粉。为了除去ZnO源粉中所含的碳必须对ZaO源粉进行煅烧。煅烧 】：艺的拟订以ZnO固态gcI微量样品的DTA-TGA曲线为参考依据，根据分析结果，煅烧温度定在 的ZnO纳米粉。将ZnO纳米粉掺入它的稀溶胶中，添入分散剂进行超声搅拌，然后置于40(2的真 空干燥箱中让溶剂快速挥发而获得半流动性溶胶。快速获得半流动性溶胶是很重要的，它能防止混 合均匀后的Zn0纳米粉发生沉淀。 将填充材料在抽真空状态下充入经化学抛光后的孔阵列基片中。对填充好的孔阵列基片进行干 燥和热处理，使纳米