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双向脉冲充电方法在锂二次电池中抑制锂枝晶生长地研究.pdf

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双向脉冲充电方法在锂二次电池中抑制锂枝晶生长的研究 陈玲李雪莉赵强江志裕+ (复旦大学化学系上海200433) 锂金属因其理论比能量高达3860mAh/g,远高于现有的各种锂二次电弛负极材料,因此一向是研究 的热点.然而,锂金属作为锂二次电池的负极存在循环效率低、安全性羞等问题,限削了它的实际应 用.引起这些问题的主要原因是在充放电循环过程中产生了锂枝晶,锂技晶刺穿隔膜造成电池内部短 路。同时,钽枝晶容易失去与基底的电接触形成没有电化学活性的“死锂”【1—3】. 本文通过改变电极的充电模式,采用双向脉冲充电来取代惯用的直流充电,有效押村了锂棱晶的生 长.通过原位显微镜枝品观剥和交流阻抗测试,初步探讨了脉冲方式与直流方式对毽电极界面状态的影 响。 1实验部分 将锂金属片(99.9%)压在镍网集流体上,刮去锂的表面层,并碾压至光亮,冲切出固定面积,最后 制得的合格工作电极.以上过程在手套箱中完成。 原位观测技晶所用的电极池制作过程为:将锂金属电极与电解j茛(Bc:DMC=I:l,1MLiPFs)置于比色 皿池中,两电极问更高固定,从镍集流体引出镍丝作导线,塞上橡皮塞,在其周围涂上环氧树脂密封以 隔绝空气.导线外接电化学工作站Clti 660,在充电同时,观察锂电极表面的变化.采用光学显檄镜和 130万象素摄像头采集图片. 交流阻抗采用Potentlostat/Calvno$tatEGtGNodeI27 3A仪器测试,频率范围为100kHz一 度.在同一充电时闻下,两种充电方式的充电量也都相同。这样,能更清燕地看到充电翩度本身对锂沉 积的影响.通过公式(1)可计算出与脉冲充电相当的平均直流电流(ia。)为O.0856m^,cm2. i“一i(t.-tO/(t.+tJ (1) 2结果与讨论 2.1愿位技晶观测 图1是分别在直漉和脉冲充电情况下技晶生长的原位拍摄图片,从&、d图可以看到锂电极在充电 前的初始形貌均平整无毛刺。其中a、b、c是直流充电。图片放大倍效为50倍。在壹漉充电情况下, 失去电化学活性。在锂二次电池中,这类枝晶还易穿透隔膜,造成内部短路,引起严重的安全 问题。随着充电电量的进一步增多,锂技晶体积变大,且表面多孔,结构疏橙。当充电量为0.32 “h/cta2时,枝晶如图1c所示.这些技晶的形貔与文献报道相似【2】。 图1中d、e、f是双向脉冲充电,图片放大倍数为125倍。充电电量为0.16mAh/cra2时,电极表面 现在电极表面。 从以上实验结果可知,双向脉冲充电有效抑制了锂枝晶的生长.在相同充电量时,双向脉冲的电极 表面远比直流充电平整。采用脉冲充电方式,能在一定程度上改善锂技晶的生长问题,提高锂二次电池 的安全性。 2.2交流阻抗分析(sis) 我们采用了交流阻抗_}去来检测直流充电和双向脉冲充电下不同充电量时电极的界面情况。图2是锂 金属电极在不同充电量时的Nyquis£图,a、b图分别是直流充电和双向脉冲充电。随着充电电量的增 加,两者的半圆半径逐渐变小.直流充电时减小程度较为明显。 在锂金属沉积的反应中,存在主要三个步骤:锂离子从液相向电极SBI膜表面转移步骤、锂离子穿 过SEI膜到达电极表面、锂离子在电极表面获得电子还原沉积在电援上。 膜电阻Rf和膜电容Cf可分别通过半圆半径和半圆最高点对应的特征频率f.求出,通过公式(2)计算 得到的结果如表1所示。 Cr=(2xfoRf)1 (2) 直流充电时Rf随着充电量的增加快速减小,Cr则明显增大。这显示了由于锂枝晶的生成使电极表面 积大大增加。然而,双向脉冲情况下,电极的Cf随充电量的增加相对变化较小,反映了其表面在充电过 程中的粗裢化不大。遮也确证了双向脉冲充电方式能有效地抑削锂枝晶生长,使其有望用于键二次电池 中。 ‘联系人:江志裕,教授,主要研究化学能源和生物电化学. E-raail:蜀碰垫g窑鱼盘咀童盖匝 国家自然科学基金 472

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