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投影光刻中相位光栅对准标记变形解决方案.pdf
投影光刻中相位光栅对准标记
变形解决方案
殷履文,盖玉喜
(中国电子科技集 团公司第五十五研究所 ,南京 210016)
摘 要 :描述 了相位光栅对准法在步进重复投影光刻机 中的运用 ,通过 比较 同轴对准系统和离
轴对准系统的原理 ,工作过程 ,阐述 了当对准标记产生变形 时离轴对准 系统能更好地修正偏差从
而保证光刻工艺中套刻精度的要求。
关键词 :对准系统;标记;相位光栅
中图分类号 :TN305.7 文献标识码 :A 文章编号 :1004—4507(2011)05-0007—04
AnalysisForSolutiontoDeformedM arkofPhaseGrating
AlignmentSystem intheProjectionLithography
YIN Lvwen,GAIYuxi
(The55thResearchInstituteofCETC,Nanjing210016,China)
Abstract:Describedapplicationofphasegratingalignmentsystem inthestep-·and-—repeatprojection
lithorgaphy.ThroughcomparingtheprincipleandworkingprocessofTTL (throughthelens)with
Off Axisalignmentsystem ,itstatesOffAxisalignmentsystem can eliminatedeviation betterwhen
alignmentmark isbecoming deformed,SO itmeetstherequirementofphotolithographicprocessof
overlay.
Keywords:Alignmentsystem;Mark;Phasergating
相位光栅对准 比较 明场或暗场对准的方法 , 准 的方法 ,但 是传 统 的TTL (THROUGHTHE
由于受不同工艺层的影响小,信噪比高,对准精度 LENS)同轴对准方式在对准标记发生变形时往往
好等优点,广泛地被用于分步重复投影半导体光 会产生对准偏差从而影响套刻 (overlay)精度,而
刻机中。世界上最大的投影光刻机制造商ASML 结合 OA(OFFAXIS)离轴对准方式则可以有效解
在他们生产的投影光刻机 中都运用了相位光栅对 决这一缺陷。
收稿 日期 :2011-03.31
电 子 工 业 苣 用 设 备 -
光刻与刻蚀
1 对准标记变形原 因分析 描监视器我们能看到 明暗交替的光栅条纹 。红机
器的对准模块 中专 门有传感器 (Quadcel1)检测这
(1)随着半导体工艺技术的进步,圆片上的线 一 变化 。其原理来 自±l级衍射 Fourier变换后的
条越来越细 ,己进入纳米级。所 以在曝光工艺前涂 光强公式:
在片子上的光刻胶的平整度应尽可能的好,这样
, sin( )sin2(2耵 )
在曝光时机器上的找平传感器 (1evelsensor)才能 叮丁一 r十 l ^
式 中: 为入射光强度 ,尺为反射牢,r为相位
正常工作 。因此在涂胶之前 圆片都要经过抛光处
光栅上部线
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