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不同PWM调制方法下z源逆变器的损耗分析与比较
不同PWM调制方法下Z源逆变器的损耗分析与比较
亭锦,刘进军.刘增
西安交通大学电气工程学院,西安710049
E—mail:Jinlibra@肿an
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关键自z源逆变8脉冲宽度两制"戈损耗导m损耗散率№较
gl言
在许多电能变换的领域.需要将一个辅^变化范围较童的自流电压逆变成为个相对稳定的交流屯压,如太阳能发电和燃料电
池发电系统。在这些场台.往往需要在传统的电型逆变器的前端增加级DC/DC升压
变换器.米实现在宽输入电K范围T保持较4、的系统释量.这样就增加r系统的成本和复
杂度,降低了系统效率。立献『11提出的一种新型的z镩逆变%,由f其独特的电路结构.
它能够利用直m状志束实现升功能.被认为是种单缎的"埠K逆变器.受到T人们根
多的关注。z滞逆变器由于j£独特的工作原理其损耗估算№传统的电压型逆变器更复杂.
而日其不同的PP/M调制方法会时逆变器的损耗带来很大的影响。
z源逆变器的基本工作原理
-252
圈1
Z镡逆变器土电路结构
圈1所T为z%逆变#的电路结构目.从拓扑看z源逆变器在输入直流电锶电压型逆变桥之问有一十由电容电感组成的阻
抗呵络和一个=极管。由于这一独特的电路结构.Z源逆变器《有一个直通状态。所谓的直通状态就是负直流母线通过上下桥臀
的*黄管短接在一起。
在电路稳态时,阻抗时络电弈±的电压和逆变桥的直流电&分别为式f1)和(2k输出的交流侧电&的有效值为式O)
_氓巩=尚n】 v,-去(2) ‰=赤m(3)
其中vnc是输^直流电压,dO是直通状态占窑比.是逆变器的调制度。
为r损耗计算,有*要得到№受桥的日流电流‘目前端‘&管∞自%k一自自路的
一-
对称性。两个电堪和电容的状态在任何时刻都是相同的-日以得到小也和电感电流u
的关系,如式H)所示:
~
一』一_
一
--
2iL_“*
”
D
。’
=
二
根据能量平衡,R有非自通状态时有功能量d通过逆变器传送负载侧,所以得到非
直通状态F逆变桥的平均电流^埘见式(5).其中R足负载的有功功率。
兰兰二:二J_二!!:1:~.一.。
(a)PWMl(b)PWM2
’。:
而在直通状态时.前端=极管电流为零,逆变桥的平均直流电流为两电感电流之和,
见式f61:
图2
z蝾逆变器的两类调制方法
‘。口=‰+t 2=2
t
(6)
h~圳”il二孚
-一‘¨“
门)
卫自稳态计电感电流的平均值u足一恒定值,且电容电压在个开关周期变化为掣,得到电感电流表选式为式(71.
3
Z源逆变器的P州调制方法
由于需要插^直通状态,z源逆变%的pII'M调制疗法不同于传统的电E犁逆变嚣.根据插入直通状奋的方式不同可阻蒋其PH"
调制方法分为两太粪。
粪如图2(a)所示,通过对调制渡进行适当地平牡.在每相桥臂的*关转换时将A通状志插^到该相,所以
直通状态在一个"黄周期被平均分为,、份吼为了方便叙述木文称此炎PWM调制方式为PWMI。
-j12
第十八届全国电源技术年会论文集
另一类调制方式是直接用直通状态替换零状态,如图2(b)所示,不改变调制波,通过两条直线控制直接在零状态000和lll中
插入直通状态,直通状态时将三相桥臂同时直通‘31。在本文中称这类调制方式为PWM2。
4.电力半导体开关器件的损耗模型
电力电子电能变换装置中的损耗包含电力半导体开关器件的损耗、无源元件的损耗、控制与驱动电路的损耗等。其中电力半导
体器件的损耗占主要部分,也是本文损耗分析的对象。忽略关断状态时的漏电流引起的损耗,电力半导体开关器件的损耗主要包括
了开关损耗和导通损耗两部分14】。
器件开关损耗模型H】如式(8)所示:
E川h=o+Bitc
h
、…
’,■ 。Jw ,t7
’
v
rtl
(8)
电力半导体器件导通时可以近似为一个电压源和一个电阻串联,其导通压降见式(9),器件在一个工频周期的导通损耗可以通过
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